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1. (WO2000060135) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DÜNNER, SCHWER LÖSLICHER BESCHICHTUNGEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2000/060135    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2000/001173
Veröffentlichungsdatum: 12.10.2000 Internationales Anmeldedatum: 06.04.2000
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    06.11.2000    
IPC:
C23C 8/10 (2006.01), C23C 26/00 (2006.01)
Anmelder: HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH [DE/DE]; Glienicker Strasse 100, D-14109 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
FISCHER, Christian-Herbert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MUFFLER, Hans-Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LUX-STEINER, Martha, Christina [CH/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: FISCHER, Christian-Herbert; (DE).
MUFFLER, Hans-Jürgen; (DE).
LUX-STEINER, Martha, Christina; (DE)
Prioritätsdaten:
199 16 403.7 06.04.1999 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DÜNNER, SCHWER LÖSLICHER BESCHICHTUNGEN
(EN) METHOD OF PRODUCING THIN, POORLY SOLUBLE COATINGS
(FR) PROCEDE DE REALISATION DE REVETEMENTS MINCES ET DIFFICILEMENT SOLUBLES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Herstellung von stabilen Oberflächenbeschichtungen kann durch Sputtern, Aufdampfen, Badabscheidung oder MOCVD erfolgen. Nicht immer ist hierbei die Erzielung homogener und auch innere Oberflächen erreichender Schichten gewährleistet. Bei den erfindungsgemäßen Verfahren ist zur Herstellung keramischer oder oxidischer Schichten (CL/OL) auf Substraten (S) deshalb vorgesehen, dass nach dem Aufbringen (I) und Trocknen (II) einer geeigneten Ausgangssubstanz (P) die gebildete Ausgangssubstanz-Schicht (PLD) mit einem feuchten Reaktantgas (RG) zur Umwandlung in eine entsprechende Hydroxid- oder Komplex-Schicht (HL) begast (III) und danach zur Bildung einer keramischen oder oxidischen Schicht (CL/OL) thermisch behandelt wird (IV). Zur alternativen Herstellung anderer chalkogenidischer Schichten mit erhöhtem Stoffumsatz erfolgt eine zusätzliche Begasung mit einem chalkogenwasserstoffhaltigen Reaktantgas . Metallische Schichten können alternativ unter Einsatz eines reduzierend wirkenden Reaktantgases erzeugt werden. Anwendung finden die erfindungsgemäßen Verfahren überall dort, wo es um Schutz und Modifikation von Oberflächen, auch mit beschatteten Strukturen, sowie um das Aufbringen funktionaler Schichten geht, insbesondere in der Solar- und Werkstofftechnik.
(EN)Stable surface coatings can be produced by sputtering, evaporation coating, bath deposition or metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). With these methods it is not always possible to obtain homogeneous coatings which also reach internal surfaces. For the production of ceramic or oxidic layers (CL/OL) on substrates (S) the invention therefore provides that after application (I) and drying (II) of a suitable starting substance (P) the resulting starting-substance layer (PLD) is exposed (III) to a wet reactant gas (RG) to transform said layer into a corresponding hydroxide or complex layer (HL) and then heat treated (IV) for the formation of a ceramic or oxidic layer (CL/OL). For the alternative preparation of other chalcogenide layers presenting greater material conversion the layers are in addition exposed to a reactant gas containing a chalcogen hydrogen. Metallic layers can alternatively be produced using a reactant gas with reducing action. The methods provided for in the invention can be used in any application concerned with the protection and modification of surfaces, including shadow-cast structures, and the application of functional layers, notably in solar and materials technology.
(FR)La réalisation de revêtements de surface stables peut être effectuée par pulvérisation cathodique, métallisation en phase vapeur, dépôt en bain chimique ou dépôt chimique métal-oxyde en phase vapeur (MOCVD). Ces procédés ne permettent pas toujours de garantir des couches homogènes atteignant également les surfaces internes. Le procédé selon la présente invention, qui permet donc la fabrication de couches de céramique ou d'oxyde (CL/OL) sur des substrats (S), consiste, après l'application (I) et le séchage (II) d'une substance de départ (P) appropriée, à exposer (III) la couche de substance de départ (PLD) ainsi formée à un gaz réactif humide (RG) pour convertir ladite couche en une couche correspondante d'hydroxyde ou complexe (HL), puis à traiter thermiquement (IV) ladite couche pour former une couche de céramique ou d'oxyde (CL/OL). Alternativement, pour fabriquer d'autres couches de chalcogénure à conversion accrue de matière, lesdites couches sont exposées de manière supplémentaire à un gaz réactif contenant de l'hydrogène et un chalcogène. Des couches métalliques peuvent également être produites à l'aide d'un gaz réactif à effet réducteur. Lesdits procédés peuvent être mis en oeuvre partout où il s'agit de protéger et de modifier des surfaces, également à structures ombrées, ou de déposer des couches fonctionnelles, en particulier dans la technique solaire et des matériaux.
Designierte Staaten: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)