In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

1. WO2000038244 - FELDEFFEKT-TRANSISTORANORDNUNG MIT EINER GRABENFÖRMIGEN GATE-ELEKTRODE UND EINER ZUSÄTZLICHEN HOCHDOTIERTEN SCHICHT IM BODYGEBIET

Veröffentlichungsnummer WO/2000/038244
Veröffentlichungsdatum 29.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1998/003747
Internationales Anmeldedatum 18.12.1998
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 19.11.1999
IPC
H01L 21/331 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
328Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren
33bei denen das Bauelement drei oder mehr Elektroden aufweist
331Transistoren
H01L 21/336 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335Feldeffekt-Transistoren
336mit einem isolierten Gate
H01L 29/04 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02Halbleiterkörper
04gekennzeichnet durch ihre kristalline Struktur, z.B. polykristallin, kubisch oder besondere Orientierung von Kristallflächen
H01L 29/06 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02Halbleiterkörper
06gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche
H01L 29/10 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02Halbleiterkörper
06gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche
10mit einer nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist
H01L 29/423 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
40Elektroden
41gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung
423wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen
CPC
H01L 29/045
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
04characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
045by their particular orientation of crystalline planes
H01L 29/0696
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0684characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
0692Surface layout
0696of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
H01L 29/1095
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
10with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
1095Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
H01L 29/41766
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
41766with at least part of the source or drain electrode having contact below the semiconductor surface, e.g. the source or drain electrode formed at least partially in a groove or with inclusions of conductor inside the semiconductor
H01L 29/4238
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
423not carrying the current to be rectified, amplified or switched
42312Gate electrodes for field effect devices
42316for field-effect transistors
4232with insulated gate
42372characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
4238characterised by the surface lay-out
H01L 29/66348
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66234Bipolar junction transistors [BJT]
66325controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
66333Vertical insulated gate bipolar transistors
66348with a recessed gate
Anmelder
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 D-81669 München, DE (AllExceptUS)
  • PFIRSCH, Frank [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SCHÄFFER, Carsten [DE/AT]; AT (UsOnly)
Erfinder
  • PFIRSCH, Frank; DE
  • SCHÄFFER, Carsten; AT
Vertreter
  • WESTPHAL, MUSSGNUG & PARTNER; Mozartstrasse 8 D-80336 München, DE
Prioritätsdaten
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) FELDEFFEKT-TRANSISTORANORDNUNG MIT EINER GRABENFÖRMIGEN GATE-ELEKTRODE UND EINER ZUSÄTZLICHEN HOCHDOTIERTEN SCHICHT IM BODYGEBIET
(EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR ARRANGEMENT WITH A TRENCH GATE ELECTRODE AND AN ADDITIONAL HIGHLY DOPED LAYER IN THE BODY REGION
(FR) ENSEMBLE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPORTANT UNE ELECTRODE DE GRILLE SOUS FORME DE TRANCHEE ET UNE COUCHE COMPLEMENTAIRE HAUTEMENT DOPEE DANS LA REGION DU CORPS
Zusammenfassung
(DE)
Beschrieben werden Feldeffekt-Transistoranordnungen mit einer grabenförmigen Gate-Elektrode sowie Verfahren zu deren Herstellung, wobei eine zusätzliche hochdotierte Schicht im Bodygebiet unter der Source vorgesehen ist, die zur Beeinflussung der Leitfähigkeit der Source bzw. der Einsatzspannung im Kanalbereich dient. Es können damit unkontrollierte Durchbruchsströme sowie Latch-up-Effekte vermieden werden.
(EN)
Disclosed is a field effect transistor arrangement with a trench gate electrode and a method for producing the same. An additional highly doped layer is provided in the body region under the source. Said layer is used for influencing the conductibility of the source or the threshold voltage in the channel region. Breakdown currents and latch-up effects can thereby be prevented.
(FR)
L'invention concerne des ensembles transistors à effet de champ comportant une électrode de grille sous forme de tranchée, ainsi qu'un procédé de production d'un tel ensemble transistor, selon lequel il est prévu de disposer une couche complémentaire hautement dopée dans la région du corps, sous la source, cette couche servant à influer sur la conductivité de la source ou sur la tension de blocage dans la zone de canal. On peut ainsi éviter des courants de claquage non contrôlés et des effets de verrouillage à l'état passant.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten