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1. WO2000038242 - LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2000/038242
Veröffentlichungsdatum 29.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003925
Internationales Anmeldedatum 08.12.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 18.07.2000
IPC
H01L 29/06 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02Halbleiterkörper
06gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche
CPC
H01L 29/0615
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0603characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
0607for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
0611for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
0615by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
H01L 29/0661
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0657characterised by the shape of the body
0661specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Anmelder
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 D-81541 München, DE (AllExceptUS)
  • STOISIEK, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • STOISIEK, Michael; DE
Vertreter
  • VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Postfach 22 14 43 80504 München, DE
Prioritätsdaten
198 58 762.718.12.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENT
(EN) POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Zusammenfassung
(DE)
Bauelement mit einem sperrenden pn-Übergang mit einer Randabschlußstruktur, die durch einen weiteren, schwächer dotierten Bereich (5) und einem darin ausgebildeten mit einem Dielektrikum gefüllten Graben (8) gebildet ist. Das dielektrische Material in dem Graben (8) lenkt die Äquipotentialflächen aus der Horizontalen auf sehr engem Raum in die vertikale Richtung um, so daß das elektrische Feld innerhalb eines kleinen Bereiches der Chipoberfläche aus dem Bauelement austreten kann.
(EN)
A power semiconductor element comprising a blocking PN junction with an edge terminating structure made up of another less doped area (5) and a trench (8) filled with a dielectric. The dielectric material in the trench (8) directs the equipotential surfaces from the horizontal onto a very narrow area in the vertical, whereby the electrical field that is located in a small area of the surface of the chip can exit from the component.
(FR)
Composant qui présente une jonction pn barrière dotée d'une structure de terminaison de bord constituée d'une autre zone (5) plus faiblement dotée et d'une tranchée (8) remplie d'une matière diélectrique formée dans ladite zone. La matière diélectrique située dans la tranchée (8) oriente sur un espace très étroit les surfaces équipotentielles de l'horizontale à la verticale, si bien que le champ électrique situé à l'intérieur d'une petite zone de la surface de la puce peut sortir du composant.
Auch veröffentlicht als
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