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1. WO2000038235 - SCHALTUNGSANORDNUNG MIT MINDESTENS EINEM NANOELEKTRONISCHEN BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2000/038235
Veröffentlichungsdatum 29.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003831
Internationales Anmeldedatum 01.12.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 17.05.2000
IPC
H01L 23/528 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
52Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen
522einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind
528Topografie der Verbindungsleitungen
H01L 27/06 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
02mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
06mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration
CPC
H01L 23/528
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
528Geometry or; layout of the interconnection structure
H01L 27/0688
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0688Integrated circuits having a three-dimensional layout
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Anmelder
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 D-81541 München, DE (AllExceptUS)
  • RÖSNER, Wolfgang [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • RAMCKE, Ties [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • RISCH, Lothar [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • RÖSNER, Wolfgang; DE
  • RAMCKE, Ties; DE
  • RISCH, Lothar; DE
Vertreter
  • MÜLLER, Frithjof, E.; Müller & Hoffmann Innere Wiener Strasse 17 81667 München, DE
Prioritätsdaten
198 58 759.718.12.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) SCHALTUNGSANORDNUNG MIT MINDESTENS EINEM NANOELEKTRONISCHEN BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) CIRCUIT ASSEMBLY WITH AT LEAST ONE NANOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CIRCUIT COMPRENANT AU MOINS UN COMPOSANT NANO-ELECTRONIQUE ET PROCEDE PERMETTANT DE LE PRODUIRE
Zusammenfassung
(DE)
Mindestens ein CMOS-Bauelement, das in einem Halbleitersubstrat (S) angeordnet ist, ist Teil der Schaltungsanordnung. Auf dem Halbleitersubstrat (S) ist eine isolierende Schicht (1, 2) angeordnet, die das CMOS-Bauelement bedeckt. Über der isolierenden Schicht (1, 2) ist das nanoelektronische Bauelement angeordnet. Mindestens eine leitende Struktur ist in der isolierenden Schicht (1, 2) angeordnet und dient der Verbindung des nanoelektronischen Bauelements mit dem CMOS-Bauelement. Sind mehrere nanoelektronische Bauelemente vorgesehen, werden sie vorzugsweise zu Nano-Schaltblöcken (N) gruppiert, wobei die Nano-Schaltblöcke (N) jeweils so klein sind, daß RC-Zeiten ihrer Leitungen (B) nicht größer als 1 ns sind.
(EN)
At least one CMOS component which is arranged in a semiconductor substrate (S) is part of the inventive circuit assembly. An insulating layer (1, 2) is arranged on said semiconductor substrate (S), said insulating layer covering the CMOS component. A nanoelectronic component is arranged above the insulating layer (1, 2). At least one conducting structure is arranged in the insulating layer (1, 2) and serves to link the nanoelectronic component with the CMOS component. If several nanoelectronic components are provided, they are preferably grouped to nano-circuit blocks (N). Each of said nano-circuit blocks (N) is so small that the RC times of their lines (B) do not exceed 1 ns.
(FR)
Selon l'invention, au moins un composant CMOS placé dans un substrat à semi-conducteur (S) fait partie du circuit objet de l'invention. Une couche isolante (1, 2) qui recouvre l'élément CMOS est placée sur le substrat à semi-conducteur (S). Le composant nano-électronique est disposé au-dessus de la couche isolante (1, 2). Au moins une structure conductrice est placée dans la couche isolante (1, 2) et sert à connecter le composant nano-électronique au composant CMOS. S'il est prévu plusieurs composants nano-électroniques, ces derniers sont de préférence regroupés en blocs de commutation de l'ordre du nanomètre (N). Ces blocs de commutation de l'ordre du nanomètre (N) sont dans chaque cas si petits, que les temps RC de leurs lignes ne dépassent pas 1 ns.
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