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1. WO2000038220 - VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEHANDELN VON SUBSTRATEN

Veröffentlichungsnummer WO/2000/038220
Veröffentlichungsdatum 29.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/EP1999/008862
Internationales Anmeldedatum 18.11.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 09.06.2000
IPC
H01L 21/00 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
CPC
H01L 21/67028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67028for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
H01L 21/6715
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Y10S 134/902
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
134Cleaning and liquid contact with solids
902Semiconductor wafer
Y10S 438/906
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
438Semiconductor device manufacturing: process
906Cleaning of wafer as interim step
Anmelder
  • STEAG MICROTECH GMBH [DE/DE]; Carl-Benz-Strasse 10 D-72124 Pliezhausen, DE (AllExceptUS)
  • POKORNY, Joachim [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • STEINRÜCKE, Andreas [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • POKORNY, Joachim; DE
  • STEINRÜCKE, Andreas; DE
Prioritätsdaten
198 59 466.622.12.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEHANDELN VON SUBSTRATEN
(EN) DEVICE AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATES
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
Zusammenfassung
(DE)
Um bei einer Vorrichtung und einem Verfahren zum Behandeln von Substraten einen verringerten Medienverbrauch und reduzierte Behandlungszeiten vorzusehen, wird über wenigstens eine im wesentlichen zentrisch zum Substrat angeordnete erste Düse ein Fluid auf eine zu behandelnde Oberfläche des Substrats geleitet, und über eine Vielzahl von bezüglich der ersten Düse separat angesteuerten zweiten Düsen ein Fluid auf die zu behandelnde Oberfläche des Substrats geleitet.
(EN)
A device and method for processing substrates, whereby medium consumption and processing time are reduced. According to the inventive method, liquid is conducted to a surface of the substrate that is to be treated via at least one nozzle that is arranged in a substantially centric position with respect to said substrate and via a plurality of second nozzles that are controlled separately from the first nozzle.
(FR)
Dispositif et procédé de traitement de substrats qui permettent de réduire la consommation de fluide et les temps de traitement. Selon ledit procédé, un fluide est dirigé sur une surface à traiter du substrat par l'intermédiaire d'au moins une première buse placée de manière essentiellement centrale par rapport au substrat, et un fluide est dirigé sur la surface à traiter du substrat par l'intermédiaire d'une pluralité de secondes buses commandées séparément par rapport à la première buse.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten