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1. WO2000038219 - VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEHANDELN VON SUBSTRATEN

Veröffentlichungsnummer WO/2000/038219
Veröffentlichungsdatum 29.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/EP1999/008861
Internationales Anmeldedatum 18.11.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 09.06.2000
IPC
H01L 21/00 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
CPC
H01L 21/67173
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
67161characterized by the layout of the process chambers
67173in-line arrangement
H01L 21/6719
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
6719characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
Anmelder
  • STEAG MICROTECH GMBH [DE/DE]; Carl-Benz-Strasse 10 D-72121 Pliezhausen, DE (AllExceptUS)
  • POKORNY, Joachim [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • POKORNY, Joachim; DE
Prioritätsdaten
198 59 469.022.12.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEHANDELN VON SUBSTRATEN
(EN) DEVICE AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATES
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
Zusammenfassung
(DE)
Bei einer Vorrichtung und einem Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, bei der bzw. bei dem ein ein Substrat tragender Substrathalter in eine Behandlungsposition über einer ersten Behandlungseinheit, eine erste Substratbehandlung und ein Anheben des Substrathalters nach der ersten Substratbehandlung erfolgt, wird auf einfache und Platz sparende Weise eine weitere Substratbehandlung ermöglicht, in dem eine zweite Behandlungseinheit zwischen den angehobenen Substrathalter und die erste Behandlungseinheit bewegt wird und eine zweite Substratbehandlung durchgeführt wird.
(EN)
A device and method for processing substrates, especially semiconductor wafers, whereby a substrate holder containing a substrate is placed in a processing position above a first processing unit, first processing of the substrate occurs and the substrate holder is raised after said first processing. The invention enables further processing of the substrate to occur in a simple manner requiring little space, whereby the second processing unit moves between the raised substrate holder and the first processing unit and second processing of the substrate is carried out.
(FR)
Dispositif et procédé de traitement de substrats, en particulier de tranches de semi-conducteur. Selon ledit procédé, un porte-substrat portant un substrat est placé dans une position de traitement au-dessus d'une première unité de traitement, le premier traitement de substrat est effectué et le porte-substrat est soulevé après le premier traitement de substrat. Ledit procédé permet un autre traitement de substrat, effectué de manière simple et prenant peu de place, du fait qu'un seconde unité de traitement est déplacée entre le porte-substrat soulevé et la première unité de traitement, un second traitement de substrat étant alors effectué.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten