In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

1. WO2000036651 - INTEGRIERTE SCHALTUNG MIT KAPAZITIVEN ELEMENTEN

Veröffentlichungsnummer WO/2000/036651
Veröffentlichungsdatum 22.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003829
Internationales Anmeldedatum 01.12.1999
IPC
H01L 23/522 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
52Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen
522einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind
H01L 23/66 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
58Strukturen von elektrischen Anordnungen für Halbleiterbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
64Impedanz-Anpassung
66Hochfrequenz-Anpassung
H01L 27/08 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
02mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
08ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art
CPC
H01L 23/5222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5222Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
H01L 23/5223
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5222Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
5223Capacitor integral with wiring layers
H01L 23/66
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
H01L 27/0805
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
0805Capacitors only
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 2924/3011
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
30Technical effects
301Electrical effects
3011Impedance
Anmelder
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 D-81541 München, DE (AllExceptUS)
  • EHBEN, Thomas [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • STEINECKE, Thomas [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • ROSENBUSCH, Jens [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • EHBEN, Thomas; DE
  • STEINECKE, Thomas; DE
  • ROSENBUSCH, Jens; DE
Gemeinsamer Vertreter
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG; Zedlitz, Peter Postfach 22 13 17 D-80503 München, DE
Prioritätsdaten
198 58 114.916.12.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) INTEGRIERTE SCHALTUNG MIT KAPAZITIVEN ELEMENTEN
(EN) INTEGRATED CIRCUIT WITH CAPACITATIVE ELEMENTS
(FR) CIRCUIT INTEGRE A ELEMENTS CAPACITIFS
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung mit kapazitiven Elementen zur Glättung der Versorgungsspannung. Es wird hier mindestens eine zusätzliche Metallelektrode, die als hochfrequenzoptimierte Kapazität ausgebildet ist und die durch einen äußerst geringen Flächenwiderstand ausgezeichnet ist, den MOS-Kapazitäten parallel geschaltet. Durch die Parallelschaltung der flächenmäßig hocheffektiven, jedoch etwas hochohmiger angebundenen MOS-Kapazität mit flächenmäßig weniger effektiven, jedoch sehr niederohmig an die Versorgungsspannung angeschlossenen Metallkapazitäten kann eine breitbandige Pufferung und somit eine Entkopplung von hochfrequenten Störsignalen erzielt werden. Sehr hochfrequente Störanteile werden auf dem Chip gedämpft und gelangen nicht in das die integrierte Schaltung umgebende System.
(EN)
The invention relates to an integrated circuit with capacitative elements for smoothing the supply voltage. At least one additional metal electrode which is configured as a high-frequency optimized capacitor and which is characterized by its extremely low sheet resistance is connected in parallel to the MOS capacitors. It is possible to achieve a wide-band attenuating effect and thus a decoupling of high-frequency interfering signals by the said connection in parallel. To this end, the MOS capacitor which requires little space but is connected to have a slightly higher resistance is connected in parallel to metal capacitors which require more space but are connected to the supply voltage to have a very low resistance. Very high frequency interfering signals are attenuated by the chip and do not advance into the system surrounding the integrated circuit.
(FR)
L'invention concerne un circuit intégré à éléments capacitifs pour lisser la tension d'alimentation. Selon l'invention, au moins une électrode métallique supplémentaire se présentant sous forme de capacité optimisée haute fréquence et se caractérisant par une résistance superficielle extrêmement fiable, est montée en parallèle avec les capacités MOS. Ce montage en parallèle de la capacité MOS très efficace en termes d'encombrement superficiel, mais impliquant une valeur ohmique élevée, avec des capacités métalliques moins efficaces en termes d'encombrement superficiel, mais raccordées avec une valeur ohmique très basse à la tension d'alimentation, permet de parvenir à un effet tampon sur une plage étendue et par conséquent à un découplage des signaux parasites haute fréquence. Des composantes parasites de fréquence très élevées sont amorties sur la puce et ne parviennent pas dans le système entourant le circuit intégré.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten