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1. WO2000036636 - KONDENSATORELEKTRODE

Veröffentlichungsnummer WO/2000/036636
Veröffentlichungsdatum 22.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003926
Internationales Anmeldedatum 08.12.1999
IPC
H01L 21/02 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
CPC
H01L 28/55
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
55with a dielectric comprising a perovskite structure material
H01L 28/60
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
60Electrodes
H01L 28/75
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
60Electrodes
75comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
Anmelder
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 D-81541 München, DE (AllExceptUS)
  • WENDT, Hermann [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • BEITEL, Gerhard [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • REISINGER, Hans [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • WENDT, Hermann; DE
  • BEITEL, Gerhard; DE
  • REISINGER, Hans; DE
Gemeinsamer Vertreter
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG; Zedlitz, Peter Postfach 22 13 17 D-80503 München, DE
Prioritätsdaten
198 58 357.517.12.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) KONDENSATORELEKTRODE
(EN) CAPACITOR ELECTRODE
(FR) STRUCTURE MICRO-ELECTRONIQUE, SON PROCEDE DE PRODUCTION ET SON UTILISATION DANS UNE MEMOIRE
Zusammenfassung
(DE)
Es soll eine mikroelektronische Struktur geschaffen werden, die eine Oxidation von sauerstoffempfindlichen Strukturen (25) verhindert. Dazu weist die mikroelektronische Struktur eine leitfähige Schicht (10) aus einer Platin-Iridium-Legierung auf. Das Iridium soll bei einer Behandlung der mikroelektronischen Struktur in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre die Sauerstoffdiffusion durch die leitfähige Schicht (10) durch Bindung des Sauerstoffs behindern und somit die oxidationsempfindliche Strukturen (25) unterhalb der leitfähigen Schicht (10) schützen.
(EN)
The aim of the invention is to create a microelectronic structure which prevents oxidation of oxygen-sensitive structures (25). To this end, the microelectronic structure is provided with a conductive layer (10) consisting of a platinum iridium alloy. The iridium should hamper the oxygen diffusion through the conductive layer (10) by binding the oxygen when the microelectronic structure is treated in a oxygen-containing atmosphere. Oxidation-sensitive structures (25) are thus protected underneath the conductive layer (10).
(FR)
L'invention vise à créer une structure micro-électronique qui empêche une oxydation de structures sensibles à l'oxygène (25). A cet effet, la structure micro-électronique présente une couche conductrice (10) constituée d'un alliage platine-iridium. Lors d'un traitement de la structure micro-électronique dans une atmosphère renfermant de l'oxygène, l'iridium empêche la diffusion d'oxygène à travers la couche conductrice (10) par fixation de l'oxygène et protège ainsi les structures sensibles à l'oxygène (25) situées sous la couche conductrice (10).
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten