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1. WO2000036387 - VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINES MIKRO-ELEKTROMECHANISCHEN ELEMENTS

Veröffentlichungsnummer WO/2000/036387
Veröffentlichungsdatum 22.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/EP1999/007204
Internationales Anmeldedatum 29.09.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 03.07.2000
IPC
G01L 9/00 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
LMessen von Kraft, mechanischer Spannung, Drehmoment, Arbeit, mechanischer Leistung, mechanischem Wirkungsgrad oder des Drucks von Fluiden
9Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische, druckempfindliche Elemente; Übertragen oder Anzeigen der Verschiebung druckempfindlicher Elemente, verwendet zum Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische Einrichtungen
G01L 13/02 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
LMessen von Kraft, mechanischer Spannung, Drehmoment, Arbeit, mechanischer Leistung, mechanischem Wirkungsgrad oder des Drucks von Fluiden
13Vorrichtungen oder Apparate zum Messen der Unterschiede von zwei oder mehr Druckwerten von Fluiden
02mit elastisch-verformbaren Gliedern oder Kolben als Fühlelemente
G01P 15/08 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
PMessen der Linear- oder Winkelgeschwindigkeit, der Beschleunigung, der Verzögerung oder des Stoßes; Anzeigen des Vorhandenseins oder Fehlens einer Bewegung; Anzeigen der Richtung einer Bewegung
15Messen der Beschleunigung; Messen der Verzögerung; Messen des Stoßes bei einer plötzlichen Beschleunigung
02durch Anwendung von Trägheitskräften
08mit Umwandlung in elektrische oder magnetische Größen
CPC
G01L 13/025
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
13Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
02using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
025using diaphragms
G01L 9/0042
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
G01L 9/0054
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0051using variations in ohmic resistance
0052of piezoresistive elements
0054integral with a semiconducting diaphragm
G01L 9/0055
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0051using variations in ohmic resistance
0052of piezoresistive elements
0055bonded on a diaphragm
G01L 9/0073
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0072using variations in capacitance
0073using a semiconductive diaphragm
G01P 15/0802
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
15Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
02by making use of inertia forces ; using solid seismic masses
08with conversion into electric or magnetic values
0802Details
Anmelder
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54 D-80636 München, DE (AllExceptUS)
  • NEUMEIER, Karl [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • BOLLMANN, Dieter [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • NEUMEIER, Karl; DE
  • BOLLMANN, Dieter; DE
Vertreter
  • SCHOPPE, Fritz; Schoppe, Zimmermann & Stöckeler Postfach 71 08 67 D-81458 München, DE
Prioritätsdaten
198 57 741.915.12.1998DE
199 27 970.518.06.1999DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINES MIKRO-ELEKTROMECHANISCHEN ELEMENTS
(EN) METHOD OF PRODUCING A MICRO-ELECTROMECHANICAL ELEMENT
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UN ELEMENT MICRO-ELECTROMECANIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Bei einem Verfahren zum Erzeugen eines mikro-elektromechanischen Elements wird zunächst eine erste Zwischenschicht (4; 14), die auf eine erste Hauptoberfläche eines ersten Halbleiterwafers (2; 26) aufgebracht ist, strukturiert, um eine Ausnehmung (6; 20, 22, 30) zu erzeugen. Der erste Halbleiterwafer (2; 26) wird über die erste Zwischenschicht (4; 14) mit einem zweiten Halbleiterwafer (8; 28) verbunden, derart, dass durch die Ausnehmung ein hermetisch abgeschlossener Hohlraum (12; 20, 22) definiert wird. Nach dem Dünnen von einem der Wafer (2; 26) von einer der ersten Zwischenschicht (4; 24) abgewandten Oberfläche her, um eine membranartige Struktur (14; 32, 36) über dem Hohlraum zu erzeugen, werden unter Verwendung von Standard-Halbleiterprozessen elektronische Komponenten in dem gedünnten Halbleiterwafer erzeugt. Abschliessend wird zumindest eine definierte Öffnung (36) erzeugt, um einen Zugang zu dem hermetisch abgeschlossenen Hohlraum (12; 20, 22, 30) zu schaffen.
(EN)
The invention relates to a method of producing a micro-electromechanical element. According to said method, a first intermediate layer (4; 14) which is applied to a first main surface of a first semiconductor wafer (2; 26) is structured to produce a recess (6; 20, 22, 30). Said first semiconductor wafer (2; 26) is linked with a second semiconductor wafer (8; 28) via the first intermediate layer (4; 14) in such a manner that the recess defines a hermetically sealed cavity (12; 20, 22). After the thickness of a surface facing away from the first intermediate layer (4; 24) of one of the wafers (2; 26) has been reduced so as to produce a membrane-type structure (14; 32, 36) above the cavity, electronic components are produced in the thickness-reduced semiconductor wafer by standard semiconductor processes. A defined opening (36) is produced so as to create an access to the hermetically sealed cavity (12; 20, 22, 30).
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de produire un élément électromécanique selon lequel on structure d'abord une première couche intermédiaire (4; 14) appliquée sur une première surface d'une première tranche de silicium à semi-conducteur (2; 26), afin de produire une cavité (6; 20, 22, 30). La première tranche de silicium à semi-conducteur (2; 26) est reliée à une seconde tranche de silicium à semi-conducteur (8; 28) par l'intermédiaire de la première couche intermédiaire (4; 14), de manière que la cavité définisse un espace creux (12; 20, 22) fermé hermétiquement. Après réduction de l'épaisseur d'une des tranches de silicium (2; 26), d'une quantité correspondant à la surface opposée à la première couche intermédiaire, afin de produire une structure (14; 32, 36) membranaire au-dessus de l'espace creux, des composants électroniques sont produits dans la tranche de silicium à semi-conducteur dont l'épaisseur a été réduite, au moyen de processus à semi-conducteurs standard. Pour finir, au moins une ouverture définie (36) est réalisée, afin de permettre un accès à l'espace creux (12; 20, 22, 30) fermé hermétiquement.
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