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1. WO2000036385 - VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER MIKROMECHANISCHEN STRUKTUR FÜR EIN MIKRO-ELEKTROMECHANISCHES ELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2000/036385
Veröffentlichungsdatum 22.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/EP1999/007206
Internationales Anmeldedatum 29.09.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 17.07.2000
IPC
G01F 1/38 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
FMessen des Volumens, des Durchflussvolumens, des Massendurchflusses oder des Füllstandes; volumetrische Mengenmessung
1Messen des Volumen- oder Massendurchflusses eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes, wobei das Fluid in einem ständigen Fluss durch das Instrument fließt
05mittels mechanischer Effekte
34durch Messen von Druck oder Differenzdruck
36Druck oder Differenzdruck erzeugt durch Einschnürung des Strömungsquerschnitts
38Druck oder Differenzdruck gemessen mit einem beweglichen Element, z.B. Membran, Kolben, Bourdonrohr oder flexible Dose
G01L 9/06 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
LMessen von Kraft, mechanischer Spannung, Drehmoment, Arbeit, mechanischer Leistung, mechanischem Wirkungsgrad oder des Drucks von Fluiden
9Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische, druckempfindliche Elemente; Übertragen oder Anzeigen der Verschiebung druckempfindlicher Elemente, verwendet zum Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische Einrichtungen
02unter Ausnutzung der Änderungen in einem ohmschen Widerstand, z.B. von Potenziometern
06mit piezoresistiven Vorrichtungen
G01L 9/12 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
LMessen von Kraft, mechanischer Spannung, Drehmoment, Arbeit, mechanischer Leistung, mechanischem Wirkungsgrad oder des Drucks von Fluiden
9Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische, druckempfindliche Elemente; Übertragen oder Anzeigen der Verschiebung druckempfindlicher Elemente, verwendet zum Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische Einrichtungen
12unter Ausnutzung von Kapazitätsänderungen
G01P 15/125 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
PMessen der Linear- oder Winkelgeschwindigkeit, der Beschleunigung, der Verzögerung oder des Stoßes; Anzeigen des Vorhandenseins oder Fehlens einer Bewegung; Anzeigen der Richtung einer Bewegung
15Messen der Beschleunigung; Messen der Verzögerung; Messen des Stoßes bei einer plötzlichen Beschleunigung
02durch Anwendung von Trägheitskräften
08mit Umwandlung in elektrische oder magnetische Größen
125durch kapazitive Umformer
H01L 21/00 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
CPC
B81B 2203/0127
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2203Basic microelectromechanical structures
01Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
0127Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
B81C 1/00246
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00222Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
00246Monolithic integration, i.e. micromechanical structure and electronic processing unit are integrated on the same substrate
B81C 2201/019
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0174for making multi-layered devices, film deposition or growing
019Bonding or gluing multiple substrate layers
B81C 2203/0728
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2203Forming microstructural systems
07Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
0707Monolithic integration, i.e. the electronic processing unit is formed on or in the same substrate as the micromechanical structure
0728Pre-CMOS, i.e. forming the micromechanical structure before the CMOS circuit
G01L 9/0042
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
G01L 9/0073
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0072using variations in capacitance
0073using a semiconductive diaphragm
Anmelder
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54 D-80636 München, DE (AllExceptUS)
  • SEITZ, Stefan [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • HÖFTER, Leonhard [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • KRUCKOW, Jürgen [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • NEUMEIER, Karl [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • BOLLMANN, Dieter [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • SEITZ, Stefan; DE
  • HÖFTER, Leonhard; DE
  • KRUCKOW, Jürgen; DE
  • NEUMEIER, Karl; DE
  • BOLLMANN, Dieter; DE
Vertreter
  • SCHOPPE, Fritz; Schoppe, Zimmermann & Stöckeler Postfach 71 08 67 D-81458 München, DE
Prioritätsdaten
198 57 741.915.12.1998DE
199 27 971.318.06.1999DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER MIKROMECHANISCHEN STRUKTUR FÜR EIN MIKRO-ELEKTROMECHANISCHES ELEMENT
(EN) METHOD OF PRODUCING A MICROMECHANICAL STRUCTURE FOR A MICRO-ELECTROMECHANICAL ELEMENT
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UNE STRUCTURE MICROMECANIQUE POUR UN ELEMENT MICRO-ELECTROMECANIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Bei einem Verfahren zum Erzeugen einer mikromechanischen Struktur für ein mikro-elektromechanisches Element wird zunächst eine erste Zwischenschicht (4), die auf eine erste Hauptoberfläche eines ersten Halbleiterwafers (2) aufgebracht ist, strukturiert, um eine Ausnehmung (6) zu erzeugen. Der erste Halbleiterwafer (2) wird dann über die erste Zwischenschicht (4) mit einem zweiten Halbleiterwafer (8) verbunden, derart, daß durch die Ausnehmung (6) ein hermetisch abgeschlossener Hohlraum (12) definiert wird. Abschließend wird einer der Wafer von einer der ersten Zwischenschicht abgewandten Oberfläche her gedünnt, um eine membranartige Struktur (14) über dem Hohlraum (12) zu erzeugen.
(EN)
The invention relates to a method of producing a micromechanical structure for a micro-electromechanical element. According to said method, a first intermediate layer (4) which is applied to a first main surface of a first semiconductor wafer (2) is structured to produce a recess (6). Said first semiconductor (2) is linked with a second semiconductor wafer (8) via the first intermediate layer (4) in such a manner that the recess (6) defines a hermetically sealed cavity (12). The thickness of a surface facing away from the first intermediate layer of one of the wafers is reduced so as to produce a membrane-type structure (14) above the cavity (12).
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de produire une structure micromécanique pour un élément micro-électromécanique. Selon ce procédé, dans un premier temps, une première couche intermédiaire (4) qui est appliquée sur une première surface principale d'une première tranche de silicium à semi-conducteur (2), est structurée, afin de produire une cavité (6). La première tranche de silicium à semi-conducteur (2) est ensuite reliée à une seconde tranche de silicium à semi-conducteur, par l'intermédiaire de la couche intermédiaire (4), de manière que la cavité (6) définisse un espace creux (12) fermé hermétiquement. Pour finir, une des tranches de silicium est réduite d'une surface opposée à la première couche intermédiaire, afin de produire une structure (14) membranaire au-dessus de l'espace creux (12).
Auch veröffentlicht als
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