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1. WO2000036383 - VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON JUSTAGESTRUKTUREN IN HALBLEITERSUBSTRATEN

Veröffentlichungsnummer WO/2000/036383
Veröffentlichungsdatum 22.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003796
Internationales Anmeldedatum 26.11.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 07.07.2000
IPC
B81B 3/00 2006.01
BArbeitsverfahren; Transportieren
81Mikrostrukturtechnik
BMikrostrukturbauelemente oder -systeme, z.B. mikromechanische Bauelemente
3Bauelemente mit flexiblen oder verformbaren Bestandteilen, z.B. mit elastischen Zungen oder Membranen
B81C 1/00 2006.01
BArbeitsverfahren; Transportieren
81Mikrostrukturtechnik
CVerfahren oder Geräte besonders ausgebildet zur Herstellung oder Behandlung von Mikrostrukturbauelementen oder -systemen
1Herstellung oder Behandlung von Bauelementen oder Systemen in oder auf einem Substrat
CPC
B81C 1/00126
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00023without movable or flexible elements
00126Static structures not provided for in groups B81C1/00031 - B81C1/00119
Anmelder
  • FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54 D-80636 München, DE (AllExceptUS)
  • NEUMEIER, Karl [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • BOLLMANN, Dieter [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • NEUMEIER, Karl; DE
  • BOLLMANN, Dieter; DE
Vertreter
  • GAGEL, Roland; Landsbergerstrasse 480a D-81241 München, DE
Prioritätsdaten
198 57 742.715.12.1998DE
199 13 612.225.03.1999DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON JUSTAGESTRUKTUREN IN HALBLEITERSUBSTRATEN
(EN) METHOD OF PRODUCING CALIBRATION STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE DES STRUCTURES D'ALIGNEMENT DANS DES SUBSTRATS A SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung
(DE)
Verfahren zur Erzeugung von Justagestrukturen in Halbleitersubstraten bei der Herstellung von mikromechanischen Systemen mit integrierter Halbleiterelektronik. Strukturierung einer ersten Schicht (3) auf einem ersten Substrat (4, 5, 6) zur Bildung von ersten Bereichen (2), die für die Funktion der Bauelemente erforderlich sind. Bildung von zweiten Bereichen (1) in der ersten Schicht (3), die die Justagestrukturen darstellen. Die zweiten Bereiche (1) weisen einen Brechungsindex auf, der sich vom Brechungsindex angrenzender Bereiche unterscheidet. Verbindung des ersten Substrats (4, 5, 6) mit einem zweiten Substrat (12), so dass die erste Schicht (3) zwischen den beiden Substraten liegt. Dünnung des ersten oder zweiten Substrats ist auf eine Restdicke. Die Substratschicht mit dieser Restdicke bildet beispielsweise die Membran bei einem Drucksensor. Vermeidung der Schwächung der mechanischen Eigenschaften tragender Schichten und Integration in den Herstellungsprozess ohne zusätzliche Prozessschritte oder aufwendige Ätzverfahren.
(EN)
The invention relates to a method of producing calibration structures in semiconductor substrates in the production of micromechanical systems with integrated semiconductor electronics. The inventive method comprises the following steps: structuring a first layer (3) on a first substrate (4, 5, 6) to produce first areas (2) which are required for the function of the components; producing second areas (1) in the first layer (3) which represent the calibration structures. The second areas (1) have a refractive index which differs from the refractive index of the adjacent areas. The method further comprises the step of joining the first substrate (4, 5, 6) with a second substrate (12) so that the first substrate (3) is embedded between said two substrates. Reducing the thickness of the first or second substrate to a remaining thickness. The substrate layer having said remaining thickness represents, for example, the membrane of a pressure sensor. The invention provides a means for preventing the mechanical properties of supporting layers from being weakened and allows integration into the production process without requiring additional process steps or extensive etching methods.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de produire des structures d'alignement dans des substrats à semi-conducteurs dans le cadre de la production de systèmes micromécaniques à équipement électronique à semi-conducteurs intégré. Selon ce procédé, une première couche (3) est structurée sur un premier substrat (4,5,6) afin de former de premières zones (2) requises pour la fonction des composants. De secondes zones (1) représentant les structures d'alignement sont formées dans la première couche (3). Ces secondes couches (1) ont un indice de réfraction qui diffère de celui de zones adjacentes. Le premier substrat (4,5,6) est relié à un second substrat (12), de manière que la première couche (3) se trouve entre les deux substrats. L'épaisseur du premier ou du second substrat est réduite jusqu'à un niveau résiduel. La couche du substrat qui présente cette épaisseur résiduelle forme par exemple une membrane de détecteur de pression. Selon l'invention, il est également prévu des mesures visant à réduire l'amoindrissement des propriétés mécaniques des couches supports. Ce procédé permet une intégration dans le processus de production sans requérir d'étapes supplémentaires ou d'opérations coûteuses de mordançage.
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