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1. WO2000035021 - LEISTUNGSHALBLEITERSCHALTER

Veröffentlichungsnummer WO/2000/035021
Veröffentlichungsdatum 15.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003836
Internationales Anmeldedatum 01.12.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 04.07.2000
IPC
H01L 29/10 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02Halbleiterkörper
06gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche
10mit einer nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist
H01L 29/739 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66Typen von Halbleiterbauelementen
68steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
70Bipolare Bauelemente
72Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar
739gesteuert durch Feldeffekt
CPC
H01L 29/1095
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
10with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
1095Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
H01L 29/7395
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
739controlled by field-effect, ; e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
7393Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
7395Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
Anmelder
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 D-81541 München, DE (AllExceptUS)
  • REZNIK, Daniel [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • REZNIK, Daniel; DE
Vertreter
  • VIERING, Hans-Martin; Viering, Jentschura & Partner Steinsdorfstrasse 6 80538 München, DE
Prioritätsdaten
198 56 104.004.12.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) LEISTUNGSHALBLEITERSCHALTER
(EN) POWER SEMICONDUCTOR SWITCH
(FR) COMMUTATEUR STATIQUE DE PUISSANCE
Zusammenfassung
(DE)
Eine IGBT-Struktur aus aufeinanderfolgenden Bereichen (1, 3, 4, 5) wechselnden Vorzeichens der Leitfähigkeit wird auf Punch-Through dimensioniert und mit zwei Pufferschichten (2, 6) versehen. Damit wird das Bauelement symmetrisch sperrend und ist als Halbleiterschalter z.B. für Umrichter geeignet.
(EN)
The invention relates to an IGBT structure consisting of successive areas (1, 3, 4, 5) which have changing signs of conductibility. Said IGBT structure is converted to a punch-through dimension and provided with two buffer layers (2, 6). The component thereby becomes symmetrically locked and can be used as a semiconductor switch for converters for example.
(FR)
Une structure transistor bipolaire à portée isolée (IGBT) comprenant des zones successives (1, 3, 4, 5) de conductivité de types alternants est dimensionnée pour le perçage et dotée de deux couches tampons (2, 6). Ainsi le composant est bloquant de façon symétrique et convient comme commutateur statique, par exemple, comme redresseur.
Auch veröffentlicht als
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