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1. WO2000035002 - VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR OPTISCHEN KONTROLLE VON FERTIGUNGSPROZESSEN FEINSTRUKTURIERTER OBERFLÄCHEN IN DER HALBLEITERFERTIGUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2000/035002
Veröffentlichungsdatum 15.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/EP1999/009410
Internationales Anmeldedatum 02.12.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 04.07.2000
IPC
G01N 21/21 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
NUntersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
21Optisches Untersuchen oder Analysieren von Stoffen, d.h. durch die Anwendung infraroten, sichtbaren oder ultravioletten Lichts
17Systeme, in denen einfallendes Licht durch die Eigenschaften des untersuchten Materials beeinflusst wird
21die Polarisation beeinflussende Eigenschaften
G03F 7/20 2006.01
GPhysik
03Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
FFotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken ; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20Belichten; Vorrichtungen dafür
H01L 21/66 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
66Prüfen oder Messen während der Herstellung oder Behandlung
H01L 23/544 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
544Markierungen auf Halbleiterbauelementen, z.B. Markierungen zu Kennzeichnungszwecken, Teststrukturen
CPC
G01N 21/21
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
21Polarisation-affecting properties
G03F 7/70491
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
G03F 7/70616
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 22/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
34Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
Anmelder
  • SEMICONDUCTOR 300 GMBH & CO. KG [DE/DE]; Building D Manfred-v.-Ardenne-Ring 20 D-01099 Dresden, DE (AllExceptUS)
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodtstrasse 54 D-80636 München, DE (AllExceptUS)
  • BENESCH, Norbert [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SCHNEIDER, Claus [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • PFITZNER, Lothar [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • BENESCH, Norbert; DE
  • SCHNEIDER, Claus; DE
  • PFITZNER, Lothar; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN & FISCHER; P.O. Box 12 10 26 80034 München, DE
Prioritätsdaten
198 55 983.604.12.1998DE
199 22 614.817.05.1999DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR OPTISCHEN KONTROLLE VON FERTIGUNGSPROZESSEN FEINSTRUKTURIERTER OBERFLÄCHEN IN DER HALBLEITERFERTIGUNG
(EN) METHOD AND DEVICE FOR OPTICALLY MONITORING PROCESSES FOR MANUFACTURING MICROSTRUCTURED SURFACES IN THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTORS
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE CONTROLE OPTIQUE DE PROCESSUS DE FABRICATION DE SURFACES MICROSTRUCTUREES DANS LA PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung
(DE)
Ein Verfahren zur Kontrolle von Fertigungsprozessen feinstrukturierter Oberflächen in der Halbleiterfertigung besteht aus den Schritten: Bereitstellung von Referenzsignaturen (72) feinstrukturierter Oberflächen, Messung von mindestens einer Signatur (74) der zu kontrollierenden Probenoberfläche, Vergleich (76) der gemessenen Signatur mit den Referenzsignaturen, Klassifikation (78) von Parametern der Probenoberfläche an Hand der Vergleichsergebnisse und ist dadurch gekennzeichnet, daß die Messung der Referenzsignaturen durch die Messung der Orts- und/oder Intensitätsverteilung von Beugungsbildern an qualitativ spezifizierten Produktionsprototypen durchgeführt wird. Die Klassifikation (78) erfolgt dabei bevorzugt mit einem lernfähigen neuronalen Netzwerk und/oder einer Fuzzy-Logik. Des weiteren wird eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens vorgeschlagen. Die Signaturen werden dabei durch Drehung der Polarisationsebene des auf die Probe auftreffenden Lichtstrahles erzeugt.
(EN)
The inventive method for monitoring processes for manufacturing microstructured surfaces in the production of semiconductors consists of the following steps: providing reference signatures (72) of microstructured surfaces; measuring at least one signature (74) of the sample surface being monitored; comparing (76) the measured signature with the reference signatures; and classifying (78) parameters of the sample surface using the results of the comparison. The method is characterised in that the reference signatures are measured by measuring the spatial and/or intensity distribution of diffraction images on qualitatively specified production prototypes. The classification (78) is preferably carried out with an adaptive neuronal network and/or a fuzzy logic. The invention also relates to a device for carrying out the inventive method. The signatures are produced by rotating the polarization planes of the ray of light which is incident on the sample.
(FR)
Procédé de contrôle de processus de fabrication de surfaces microstructurées dans la production de semi-conducteurs, qui consiste à disposer de signatures de référence (72) de surfaces microstructurées, à mesurer au moins une signature (74) de la surface d'échantillon à contrôler, à comparer (76) la signature mesurée aux signatures de référence, et à classifier (78) les paramètres de la surface d'échantillon à l'aide des résultats de la comparaison. Ledit procédé est caractérisé en ce que la mesure des signatures de référence est effectuée par mesure de la répartition spatiale et/ou d'intensité d'images de diffraction sur des prototypes de production qualitativement spécifiés. La classification (78) est effectuée de préférence avec un réseau neuronal adaptatif et/ou une logique floue. La présente invention concerne en outre un dispositif destiné à mettre en oeuvre ledit procédé. Les signatures sont produites par rotation des plans de polarisation du faisceau de lumière incidente sur l'échantillon.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten