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1. WO2000034990 - HERSTELLUNG VON MEHRSCHICHTIGEN HALBLEITERSTRUKTUREN MITTELS TRÄGERGASUMSCHALTUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2000/034990
Veröffentlichungsdatum 15.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/EP1999/009122
Internationales Anmeldedatum 25.11.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 18.05.2000
IPC
H01L 21/205 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
20Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
205durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung
CPC
H01L 21/0237
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
H01L 21/02461
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02461Phosphides
H01L 21/02543
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02543Phosphides
H01L 21/0262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Anmelder
  • DEUTSCHE TELEKOM AG [DE/DE]; Friedrich-Ebert-Allee 140 D-53113 Bonn, DE (AllExceptUS)
  • KUPHAL, Eckart [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • JOCHUM, Stephan [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • KUPHAL, Eckart; DE
  • JOCHUM, Stephan; DE
Vertreter
  • GORNOTT, Dietmar; Zillenweg 29 D-64291 Darmstadt, DE
Prioritätsdaten
198 56 245.407.12.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HERSTELLUNG VON MEHRSCHICHTIGEN HALBLEITERSTRUKTUREN MITTELS TRÄGERGASUMSCHALTUNG
(EN) PRODUCTION OF MULTILAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURES BY CHANGING THE CARRIER GAS
(FR) PRODUCTION DE STRUCTURES A SEMI-CONDUCTEUR MULTICOUCHES PAR CHANGEMENT DU GAZ PORTEUR
Zusammenfassung
(DE)
Bei einem Verfahren zur Herstellung von mehrschichtigen Halbleiterstrukturen aus Verbindungshalbleitern durch Epitaxie feststoffbildender, in einem Trägergas verdünnter Prozeßgase auf einem zur Herstellung der Schichten erhitzten Substrat, mit welchem das Gemisch aus Trägergas und den Prozeßgasen in Kontakt gebracht wird, wird zur Herstellung unterschiedlicher Schichten zwischen unterschiedlichen Trägergasen, im besonderen Wasserstoff und Stickstoff, gewechselt, oder es werden unterschiedliche Mischungen der Trägergase verwendet.
(EN)
The invention relates to a method for producing multilayer semiconductor structures comprised of compound semiconductors by the epitaxy of solid-forming process gases, said process gases being diluted in a carrier gas, on a substrate that is heated for producing the layers. The mixture comprised of the carrier gas and of the process gases is brought into contact with said substrate. In order to produce different layers, the use of different carrier gases, especially hydrogen and nitrogen, is alternated or different mixtures of the carrier gases are used.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production de structures à semi-conducteur multicouches constituées de semi-conducteurs composés par épitaxie de gaz de processus formant une substance solide, dilués dans un gaz porteur, sur un substrat chauffé pour la réalisation des couches, avec lequel le mélange constitué du gaz porteur et des gaz de processus est mis en contact. Selon ledit procédé, pour la production de différentes couches, on change de gaz porteur, c'est-à-dire que l'on utilise en particulier soit de l'hydrogène soit de l'azote, ou bien on utilise différents mélanges de ces gaz porteurs.
Auch veröffentlicht als
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