In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

1. WO2000034985 - VERFAHREN ZUM STRUKTURIEREN EINER METALLHALTIGEN SCHICHT

Veröffentlichungsnummer WO/2000/034985
Veröffentlichungsdatum 15.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003876
Internationales Anmeldedatum 03.12.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 14.06.2000
IPC
H01L 21/311 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
3105Nachbehandlung
311Ätzen isolierender Schichten
H01L 21/3213 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
3205Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten
321Nachbehandlung
3213Physikalisches oder chemisches Ätzen der Schichten, z.B. um eine gemusterte Schicht aus einer zuvor durchgehend abgeschiedenen Schicht zu erzeugen
CPC
H01L 21/31122
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
31116by dry-etching
31122of layers not containing Si, e.g. PZT, Al2O3
H01L 21/32136
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
32133by chemical means only
32135by vapour etching only
32136using plasmas
Anmelder
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 D-81541 München, DE (AllExceptUS)
  • WEGE, Stephan [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • KRAHL, Kerstin [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • WEGE, Stephan; DE
  • KRAHL, Kerstin; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26 D-80034 München, DE
Prioritätsdaten
198 56 082.604.12.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM STRUKTURIEREN EINER METALLHALTIGEN SCHICHT
(EN) METHOD FOR STRUCTURING A METALLIFEROUS LAYER
(FR) PROCEDE DE STRUCTURATION D'UNE COUCHE METALLIFERE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein Verfahren zum Strukturieren einer metallhaltigen Schicht vorgeschlagen. Die metallhaltige Schicht (4) wird dabei unter Verwendung einer Ätzmaske (8) in einer plasmaunterstützten Ätzgasatmosphäre bei einer Temperatur oberhalb von 130 °C in Anwesenheit zumindest einer Halogenverbindung und zumindest eines Oxidationsmittels geätzt, wobei die Konzentration des Oxidationsmittels höher als die Konzentration der Halogenverbindung ist.
(EN)
The invention relates to a method for structuring a metalliferous layer. The metalliferous layer (4) is etched using an etching mask (8) in a plasma-enhanced etching gas atmosphere at a temperature of more than 130 °C in the presence of at least one halogen compound and at least one oxidant. The concentration of said oxidant is higher than the concentration of the halogen compound.
(FR)
L'invention concerne un procédé de structuration d'une couche métallifère. La couche métallifère (4) est gravée à l'aide d'un masque de gravure (8) dans une atmosphère de gaz de gravure au plasma à une température supérieure à 130 °C en présence au moins d'un composé halogéné et au moins d'un agent oxydant. La concentration de l'agent oxydant est supérieure à la concentration du composé halogéné.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten