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1. WO2000033366 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MULTIKRISTALLINEM HALBLEITERMATERIAL

Veröffentlichungsnummer WO/2000/033366
Veröffentlichungsdatum 08.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003737
Internationales Anmeldedatum 25.11.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 23.06.2000
IPC
C30B 11/00 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
11Erzeugen von Einkristallen durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient, z.B. Bridgman-Stockbarger-Methode
CPC
C30B 11/007
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
007Mechanisms for moving either the charge or the heater
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Anmelder
  • MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. [DE/DE]; Hofgartenstrasse 2 D-80539 München, DE (AllExceptUS)
  • ACCESS E.V. [DE/DE]; Intzestrasse 5 D-52072 Aachen, DE (AllExceptUS)
  • BREITENSTEIN, Otwin [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • FRANKE, Dieter [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • BREITENSTEIN, Otwin; DE
  • FRANKE, Dieter; DE
Vertreter
  • KÖNIG, Beate ; König & Köster Morassistrasse 8 D-80469 München, DE
Prioritätsdaten
198 55 204.130.11.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MULTIKRISTALLINEM HALBLEITERMATERIAL
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF MULTI-CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR POLYCRISTALLIN
Zusammenfassung
(DE)
Bei der Herstellung von multikristallinem Halbleitermaterial durch Kristallisation aus einer Schmelze (12; 22) wird während der Erstarrung der Schmelze und/oder während der sich anschließenden weiteren Abkühlung Vibrationsenergie im Schall- oder Ultraschallbereich in das Material eingekoppelt. Die Parameter dieser Vibrationsenergie-Einkoppelung werden mit den Parametern der Schmelze und der Abkühlzeit derart abgestimmt, daß die Versetzungsdichte im abgekühlten multikristallinen Material (13) deutlich geringer ist als im Falle fehlender Vibrationsenergie-Einkoppelung bei der betreffenden Abkühlzeit.
(EN)
The invention relates to the production of multi-crystalline semiconductor material by crystallisation of a molten material (12; 22). Vibration energy is coupled into the material in the sonic or ultrasonic field during solidification of the molten material and/or during subsequent additional cooling. The parameters of this coupling of vibration energy are harmonised with the parameters of the molten material and the cooling time in such a way that the dislocation density in the cooled multi-crystalline material (13) is much lower than if there was no coupling of vibration energy during the respective application time.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'un matériau semiconducteur polycristallin par cristallisation d'une matière fondue (12; 22). Pendant la solidification de la matière fondue et/ou pendant la période de refroidissement qui suit la solidification, une énergie de vibration dans la plage des ondes acoustiques ou des ultrasons est appliquée à l'intérieur du matériau. Les paramètres de cette application d'énergie de vibration concordent avec ceux de la matière fondue et de la durée de refroidissement de sorte que, par rapport à une situation où aucune énergie de vibration n'est appliquée pendant la durée de refroidissement concernée, la densité de dislocations dans le matériau polycristallin refroidi (13) soit nettement inférieure.
Auch veröffentlicht als
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