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1. WO2000032852 - GERICHTET ERSTARRTES MULTIKRISTALLINES SILICIUM SOWIE VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2000/032852
Veröffentlichungsdatum 08.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/EP1999/008777
Internationales Anmeldedatum 15.11.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 16.05.2000
IPC
C30B 11/00 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
11Erzeugen von Einkristallen durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient, z.B. Bridgman-Stockbarger-Methode
CPC
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Anmelder
  • DEUTSCHE SOLAR GMBH [DE/DE]; Berthelsdorfer Strasse 113 D-09599 Freiberg, DE (AllExceptUS)
  • KRUMBE, Wolfgang [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • HÄSSLER, Christian [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • KOCH, Wolfgang [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • PERNSOT, Alfred [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • MÜLLER, Armin [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • LEISTNER, Jürgen [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • KRUMBE, Wolfgang; DE
  • HÄSSLER, Christian; DE
  • KOCH, Wolfgang; DE
  • PERNSOT, Alfred; DE
  • MÜLLER, Armin; DE
  • LEISTNER, Jürgen; DE
Vertreter
  • RAU, Albrecht; Rau, Schneck & Hübner Königstrasse 2 90402 Nürnberg, DE
Prioritätsdaten
198 54 838.927.11.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) GERICHTET ERSTARRTES MULTIKRISTALLINES SILICIUM SOWIE VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) ORIENTATED SOLIDIFIED MULTI-CRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SILICIUM POLYCRISTALLIN A SOLIDIFICATION ORIENTEE, ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Zusammenfassung
(DE)
Gerichtet erstarrtes multikristallines Silicium für photovoltaische Anwendungen, bei welchem die maximale Korngrösse nicht mehr als 200 mm2 beträgt. Das erfindungsgemäße Silicium kann mit einer höheren Kristallisationsgeschwindigkeit als konventionelles Silicium hergestellt werden und erreicht Solarzellen-Wirkungsgrade von über 13-16 %.
(EN)
Disclosed is orientated solidified multi-crystalline silicon for photovoltaic applications. Said silicon has a particle size not exceeding 200 mm2. The inventive silicon can be produced with a higher rate of crystallisation than conventional silicon and reaches solar cell efficiency of more than 13-16 %.
(FR)
L'invention concerne un silicium polycristallin à solidification orientée, destiné à des applications photovoltaïques, la grosseur maximale des grains de ce silicium ne dépassant pas 200 mm2. Ce silicium peut être produit avec une vitesse de cristallisation supérieure à celle du silicium classique, et permet aux cellules solaires, dans lesquelles il est utilisé, d'atteindre des rendements supérieurs à 13-16 %.
Auch veröffentlicht als
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten