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1. WO2000032840 - VERFAHREN UND SYSTEM ZUR HALBLEITERKRISTALLHERSTELLUNG MIT TEMPERATURVERWALTUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2000/032840
Veröffentlichungsdatum 08.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003863
Internationales Anmeldedatum 02.12.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 05.06.2000
IPC
C30B 25/10 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
10Erhitzen der Reaktionskammer oder des Substrats
C30B 25/16 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
16Steuern oder Regeln
H01L 21/318 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
314Anorganische Schichten
318zusammengesetzt aus Nitriden
CPC
C30B 25/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
10Heating of the reaction chamber or the substrate
C30B 25/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
16Controlling or regulating
H01L 21/318
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
314Inorganic layers
318composed of nitrides
H01L 21/3185
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
314Inorganic layers
318composed of nitrides
3185of siliconnitrides
Anmelder
  • AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17 D-52072 Aachen, DE (AllExceptUS)
  • HEUKEN, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • STRAUCH, Gert [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • PROTZMANN, Harry [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • JÜRGENSEN, Holger [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SCHÖN, Oliver [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SCHMITZ, Dietmar [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • HEUKEN, Michael; DE
  • STRAUCH, Gert; DE
  • PROTZMANN, Harry; DE
  • JÜRGENSEN, Holger; DE
  • SCHÖN, Oliver; DE
  • SCHMITZ, Dietmar; DE
Vertreter
  • WILHELM MÜNICH & KOLLEGEN; Wilhelm-Mayr-Strasse 11 D-80689 München, DE
Prioritätsdaten
198 55 637.302.12.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN UND SYSTEM ZUR HALBLEITERKRISTALLHERSTELLUNG MIT TEMPERATURVERWALTUNG
(EN) METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CRYSTALS USING TEMPERATURE MANAGEMENT
(FR) PROCEDE ET SYSTEME DE FABRICATION D'UN CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR AVEC GESTION DE LA TEMPERATURE
Zusammenfassung
(DE)
Beschrieben wird ein Verfahren und ein Temperaturverwaltungs- und Reaktionskammersystem zur Herstellung von Stickstoff enthaltenden Halbleiterkristallmaterialien der Form AXBYCZ, NV, MW, wobei A, B, C Gruppe-II- oder III-Elemente, N Stickstoff, M ein Gruppe-V- oder VI-Element und X, Y, Z, V, W der Molenbruch jedes Elements in dieser Verbindung darstellen, unter Verwendung von Gasphasenzusammensetzungen und Gasphasenfolgen. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass zur Herstellung der Halbleiterkristallmaterialien der Herstellungsprozess durch genaue Temperaturregelung bestimmter Stellen in dem Reaktionskammersystem unter vorgegebenen Bedingungen gesteuert wird.
(EN)
The invention relates to a method and to a temperature management and reaction chamber system for producing semiconductor crystal materials which contain nitrogen and which are of the form AXBYCZ, NV, MW, whereby A, B, C represent group II or III elements, N represents nitrogen, M represents a group V or VI element and X, Y, Z, V, W represents the mol fraction of each element in this compound. The semiconductor crystal materials are produced using gas phase compositions and gas phase sequences. The invention is characterized in that, for producing the semiconductor crystal materials, the production process is controlled under predetermined conditions by precisely controlling the temperature at determined locations in the reaction chamber system.
(FR)
L'invention concerne un procédé et un système à gestion de température et à chambre de réaction pour la fabrication de matériaux à cristaux semi-conducteurs renfermant de l'azote, de la forme AXBYCZ,NV,MW, où A, B, C représentent des éléments du groupe II ou III, N désigne l'azote, M représente un élément du groupe V ou VI, et X, Y, Z, V, W désignent la fraction molaire de chaque élément dans ce composé, avec utilisation de compositions en phase gazeuse et d'une série de phases gazeuses. L'invention est caractérisée en ce que, pour la fabrication de matériaux à cristaux semi-conducteurs, le processus de fabrication est commandé par une régulation de température précise d'emplacements déterminés dans le système à chambre de réaction, dans des conditions prédéterminées.
Auch veröffentlicht als
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