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1. WO2000031778 - INTEGRIERTE INDUKTIVITÄT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INTEGRIERTER INDUKTIVITÄTEN MIT HOHER GÜTE

Veröffentlichungsnummer WO/2000/031778
Veröffentlichungsdatum 02.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003693
Internationales Anmeldedatum 17.11.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 07.06.2000
IPC
H01F 17/00 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
FMagnete; Induktivitäten; Transformatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften
17Festinduktivitäten zur Signalübertragung
H01F 41/10 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
FMagnete; Induktivitäten; Transformatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften
41Geräte oder Verfahren, besonders ausgebildet zur Herstellung oder zum Zusammenbau von Magneten, Induktivitäten oder Transformatoren; Geräte oder Verfahren, besonders ausgebildet für das Herstellen von Materialien, die durch ihre magnetischen Eigenschaften charakterisiert sind
02zum Herstellen der Kerne, Spulen oder Magnete
04zum Herstellen von Spulen
10Anschließen von Zuleitungen an Wicklungen
H01L 21/02 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H01L 21/822 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
H01L 27/08 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
02mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
08ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art
CPC
H01F 17/0006
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
17Fixed inductances of the signal type
0006Printed inductances
H01F 41/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
41Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
02for manufacturing cores, coils, or magnets
04for manufacturing coils
10Connecting leads to windings
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
H01L 28/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
10Inductors
Anmelder
  • IHP GMBH INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTORNICS INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK [DE/DE]; Walter-Korsing-Strasse 2 D-15230 Frankfurt (Oder), DE (AllExceptUS)
  • METHFESSEL, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • ERZGRÄBER, Heide [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • METHFESSEL, Michael; DE
  • ERZGRÄBER, Heide; DE
Vertreter
  • HEITSCH, Wolfgang; Göhlsdorfer Strasse 25g D-14778 Jeserig, DE
Prioritätsdaten
198 55 008.120.11.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) INTEGRIERTE INDUKTIVITÄT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INTEGRIERTER INDUKTIVITÄTEN MIT HOHER GÜTE
(EN) INTEGRATED INDUCTIVE RESISTOR AND METHOD FOR PRODUCING A HIGH QUALITY INTEGRATED INDUCTIVE RESISTOR
(FR) BOBINE D'INDUCTANCE INTEGREE ET PROCEDE DE FABRICATION DE BOBINES D'INDUCTANCE INTEGREES DE HAUTE QUALITE
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Induktivität und ein Verfahren zur Herstellung integrierter Induktivitäten mit hoher Güte. Aufgabe der Erfindung ist es, eine integrierte Induktivität und ein Verfahren zur Herstellung integrierter Induktivitäten mit hoher Güte vorzuschlagen, bei dem die Substratverluste verringert werden. Erfindungsgemäß wird der Nachteil der geringen Güte von planar auf ein isoliertes Halbleitersubstrat mit isolierender Schutzschicht aufgebrachten Induktivitäten dadurch beseitigt, daß eine Spirale oder Spulenwindung mit erhöhtem Abstand zum Substrat realisiert wird und die Substratverluste hierdurch weitgehend reduziert werden. Dies wird dadurch erreicht, daß die elektrischen Zuleitungen der Induktivität durch das Übereinanderlegen zweier verschiedener Materialien als Bimetallstreifen so hergestellt werden, daß sich die Spirale nach Abkühlung von dem Substrat mit der isolierenden Schutzschicht abhebt.
(EN)
The invention relates to an integrated inductive resistor and a method for producing a high quality integrated inductive resistor. The aim of the invention is to provide an integrated inductive resistor and a method for high quality integrated inductive resistors, whereby said method should result in reduced substrate losses. According to the invention, the disadvantage of low quality inductive resistors applied in a planar manner onto an isolated semiconductor substrate with an isolating layer is eliminated by creating a spiral or coil winding at an increased distance from the substrate and by thus substantially reducing the substrate losses. This is achieved by producing the electrical connections of the inductive resistor by placing two different materials as bimetal strips on top of each other in such a way that the spiral rises above the substrate with the isolating layer after cooling.
(FR)
Bobine d'inductance intégrée et procédé de fabrication de bobines d'inductance intégrées de haute qualité, dans lesquelles les pertes de substrats sont réduites. Selon la présente invention, l'inconvénient de la faible qualité de bobines d'inductances déposées de manière plane sur un substrat semi-conducteur isolé à couche protectrice isolante est éliminé par le fait qu'une spirale ou une bobine est réalisée avec un écart accru par rapport au substrat et que les pertes de substrat s'en trouvent largement réduites. A cet effet, les lignes d'amenée électriques de la bobine d'inductance sont fabriquées par la superposition de deux matières différentes en tant que bande bimétallique de manière telle qu'une fois refroidie, la spirale se soulève du substrat avec la couche protectrice isolante.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten