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1. WO2000031323 - VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUM ABSCHEIDEN VON HALBLEITERMATERIAL

Veröffentlichungsnummer WO/2000/031323
Veröffentlichungsdatum 02.06.2000
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1999/003665
Internationales Anmeldedatum 12.11.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 19.06.2000
IPC
C03C 17/22 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
03Glas; Mineral- oder Schlackenwolle
CChemische Zusammensetzungen für Gläser, Glasuren oder Emails; Oberflächenbehandlung von Glas; Oberflächenbehandlung von Fasern oder Fäden, die aus Glas, Mineralien oder Schlacken hergestellt wurden; Verbinden von Glas mit Glas oder anderen Stoffen
17Oberflächenbehandlung von Glas, z.B. entglastem Glas, außer Fasern oder Filamenten aus Glas, durch Überziehen
22mit anderen anorganischen Stoffen
C23C 16/30 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
22gekennzeichnet durch das Abscheiden anderer anorganischer Stoffe als metallischer Stoffe
30Abscheiden von Verbindungen, Gemischen oder festen Lösungen, z.B. von Boriden, Carbiden, Nitriden
C30B 25/02 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
C30B 25/22 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
22Sandwich-Verfahren
CPC
C03C 17/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
22with other inorganic material
C03C 2217/287
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2217Coatings on glass
20Materials for coating a single layer on glass
28Other inorganic materials
287Chalcogenides
C03C 2218/152
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2218Methods for coating glass
10Deposition methods
15from the vapour phase
152by cvd
C23C 16/305
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
305Sulfides, selenides, or tellurides
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 25/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
22Sandwich processes
Anmelder
  • HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH [DE/DE]; Glienicker Strasse 100 D-14109 Berlin, DE (AllExceptUS)
  • AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17 D-52072 Aachen, DE (AllExceptUS)
  • JÄGER-WALDAU, Arnulf, A. [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • LUX-STEINER, Martha, Christina [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • JÜRGENSEN, Holger [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • JÄGER-WALDAU, Arnulf, A.; DE
  • LUX-STEINER, Martha, Christina; DE
  • JÜRGENSEN, Holger; DE
Prioritätsdaten
198 55 021.920.11.1998DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUM ABSCHEIDEN VON HALBLEITERMATERIAL
(EN) METHOD AND ARRANGEMENT FOR DEPOSITION OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR LE DEPOT D'UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von Halbleitermaterial aus einem Vorrat über halogenierte gasförmige Zwischenprodukte auf einem Substrat in einem Reaktionsraum (chemischer Gasphasentransport) sowie eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens. Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein einfaches und robustes Verfahren für die Abscheidung von Halbleitermaterial auf einem Substrat sowie eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens anzugeben. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Angabe eines Verfahrens mit nachstehend aufgeführten Verfahrensschritten gelöst: Aufheizen des Reaktorraumes unter Inertgas; Positionierung von Substrat und Halbleitervorrat zueinander; Starten der Halogenisierung des Halbleitermaterials durch Ersetzen des Inertgasstromes durch einen Gasstrom aus Trägergas und halogenhaltigem Gas; Dehalogenisierung des Halbleitermaterials für die Abscheidung auf dem Substrat; Beenden der Abscheidung durch Umschalten auf Inertgas und räumliche Trennung von beschichtetem Substrat und Halbleitervorrat; Abkühlung des beschichteten Substrates.
(EN)
The invention relates to a method for depositing semiconductor material on a substrate in a reaction chamber (chemical vapour-phase transport). To this end, said semiconductor material is removed from a supply thereof and converted into halogenated gaseous intermediate products. The invention also relates to an arrangement for implementing said method. The aim of the invention is to provide a simple and robust method for depositing semiconductor material on a substrate in addition to an arrangement for implementing said method. This is achieved by means of a method characterised by the following steps: heating of the reaction chamber by means of inert gas, positioning of the substrate and semiconductor supply in relation to one another, starting of halogenation of the semiconductor material by replacing the inert gas stream by a gas stream of a carrier gas and halogenated gas, dehalogenation of the semiconductor material for the deposition on the substrate, concluding the deposition by switching to inert gas and by spatial separation of the coated substrate and the supply of semiconductor, cooling of the coated substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé pour le dépôt d'un matériau semi-conducteur à partir d'une réserve, via des produits intermédiaires gazeux halogénés, sur un substrat dans un espace réactionnel (transportn phase gazeuse chimique), ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. L'invention a pour but de fournir un procédé simple et robuste pour le dépôt d'un matériau semi-conducteur sur un substrat, ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. Ce but est atteint grâce au procédé selon l'invention, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes ci-après : on chauffe sous gaz inerte l'enceinte du réacteur, on positionne le substrat et la réserve en semi-conducteur l'un par rapport à l'autre, on démarre la réaction d'halogénation du matériau semi-conducteur en remplaçant le courant de gaz inerte par un courant gazeux formé d'un gaz vecteur et d'un gaz contenant un halogène, on procède à une déshalogénation du matériau semi-conducteur pour le dépôt sur le substrat, on achève le dépôt en commutant sur le gaz inerte et en séparant le substrat revêtu et la réserve de semi-conducteur, puis on refroidit le substrat revêtu.
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