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1. (WO1999067879) AKTIVE ARBEITSPUNKTEEINSTELLUNG FÜR LEISTUNGSVERSTÄRKER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1999/067879    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1999/001679
Veröffentlichungsdatum: 29.12.1999 Internationales Anmeldedatum: 08.06.1999
IPC:
H03F 1/30 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St-Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
FORSTNER, Johann-Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: FORSTNER, Johann-Peter; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-80506 München (DE)
Prioritätsdaten:
198 27 702.4 22.06.1998 DE
Titel (DE) AKTIVE ARBEITSPUNKTEEINSTELLUNG FÜR LEISTUNGSVERSTÄRKER
(EN) ACTIVE OPERATING POINT REGULATION FOR POWER AMPLIFIERS
(FR) REGLAGE ACTIF DE POINTS DE FONCTIONNEMENT D'UN AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Beschrieben ist eine Verstärkerschaltung umfassend mindestens einen Endstufentransistor (12), eine Schaltung zur Kompensation von Ruhestromdrifts und ggf. Bauelemente zur Ansteuerung des/der Endstufentransistor-s/-en, welche dadurch gekennzeichnet ist, daß die Schaltung zur Kompensation von Ruhestromsdrifts mindestens einen Referenzstromfeldeffekttransistor (23) mit einer Gateelektrode (22) aufweist, wobei mindestens eine Gateelektrode (22) im Bereich der Elektroden des/der Endstufentransistor-s/-en (5) angeordnet ist und sich der/die Referenzstromfeldeffekttransistor/-en auf einer gemeinsamen Chipfläche (6, 8) mit dem/den Endstufentransistor/-en (12) befindet. Ferner ist die Verwendung der vorstehenden Verstärkerschaltung in Mobilfunkanlagen beschrieben.
(EN)The invention relates to an amplifier circuit comprising at least one power transistor (12), a circuit for compensating closed circuit drifts and optionally components for controlling the power transistor(s), characterized in that the circuit for compensating closed-circuit drifts has at least one reference voltage field effect transistor (23) with a gate electrode (22) mounted in the area of the electrodes of the power transistor(s) (5) and in that the reference voltage field effect transistor is located in a common chip area along with the power transistor(s) (12). The invention further relates to the use of the above-mentioned amplifier circuit in mobile radiotelephone facilities.
(FR)L'invention concerne un circuit amplificateur comprenant au moins un transistor d'étage de sortie (12), un circuit pour compenser des dérives de courant de repos, et éventuellement des composants pour commander le ou les transistors d'étage de sortie. Ce circuit amplificateur est caractérisé en ce que le circuit de compensation de dérives de courant de repos présente au moins un transistor à effet de champ à courant de référence (23) comportant une électrode de grille (22). Au moins une électrode de grille (22) est placée au niveau des électrodes du ou des transistors d'étage de sortie (5), et le ou les transistors à effet de champ à courant de référence (23) se trouvent sur une surface de puce commune (6, 8) avec le ou les transistors d'étage de sortie (12). L'invention concerne en outre l'utilisation de ce circuit amplificateur dans des installations radiotéléphoniques mobiles.
Designierte Staaten: CA, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)