WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO1999065063) SPEICHERKONDENSATOR FÜR DRAM
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1999/065063    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1999/001454
Veröffentlichungsdatum: 16.12.1999 Internationales Anmeldedatum: 12.05.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    04.01.2000    
IPC:
H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
REISINGER, Hans [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LEHMANN, Volker [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STENGL, Reinhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WENDT, Hermann [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LANGE, Gerrit [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BACHHOFER, Harald [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FRANOSCH, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHÄFER, Herbert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: REISINGER, Hans; (DE).
LEHMANN, Volker; (DE).
STENGL, Reinhard; (DE).
WENDT, Hermann; (DE).
LANGE, Gerrit; (DE).
BACHHOFER, Harald; (DE).
FRANOSCH, Martin; (DE).
SCHÄFER, Herbert; (DE)
Vertreter: MÜLLER & HOFFMANN; Innere Wiener Strasse 17, 81667 München (DE)
Prioritätsdaten:
198 26 025.3 10.06.1998 DE
Titel (DE) SPEICHERKONDENSATOR FÜR DRAM
(EN) DRAM STORAGE CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR DE MEMORISATION POUR MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE (DRAM)
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Speicherkondensator für einen DRAM, mit einem aus Siliziumnitrid bestehenden Dielektrikum und mit wenigstens zwei, über das Dielektrikum einander gegenüberliegenden Elektroden. Für die Elektroden wird ein Material mit hoher Tunnelbarriere (&phis; β) zwischen Fermi-Niveau (F) des Materials und Leitungsband (L) des Dielektrikums verwendet. Geeignete Materialien sind hierfür Metalle wie Platin, Wolfram und Iridium oder Silizide.
(EN)The invention relates to a DRAM storage capacitor, comprising a dielectric made of silicon nitride and at least two electrodes placed opposite to each other above the dielectric. A material with higher tunnel barrier (&phis;β) between the Fermi level (F) of the material and the conduction band (L) of the dielectric is used for the electrodes. For said purpose, the appropriate materials are metals such a platinum, tungsten and iridium or silicide.
(FR)L'invention concerne un condensateur de mémorisation pour une mémoire vive dynamique (DRAM), comportant un diélectrique en nitrure de silicium et au moins deux électrodes placées l'une en face de l'autre sur le diélectrique. Pour les électrodes, on utilise un matériau présentant une barrière à effet tunnel important entre le niveau de Fermi du matériau et la bande de conduction du diélectrique. Les métaux tels que le platine, le tungstène, l'iridium ou les siliciures constituent des matériaux adaptés.
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)