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1. (WO1999062123) LEISTUNGSDIODEN-STRUKTUR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1999/062123    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1999/001453
Veröffentlichungsdatum: 02.12.1999 Internationales Anmeldedatum: 12.05.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    03.11.1999    
IPC:
H01L 29/744 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
DEBOY, Gerald [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STENGL, Jens-Peer [AT/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: DEBOY, Gerald; (DE).
STENGL, Jens-Peer; (DE)
Vertreter: WESTPHAL, MUSSGNUG & PARTNER; Mozartstrasse 8, D-80336 München (DE)
Prioritätsdaten:
198 23 944.0 28.05.1998 DE
Titel (DE) LEISTUNGSDIODEN-STRUKTUR
(EN) POWER DIODE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE DIODE DE PUISSANCE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Leistungsdioden-Struktur mit verbesserten dynamischen Eigenschaften, mit einem Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps, in dessen eine Oberfläche eine Halbleiterzone (2) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps eingebettet ist, einer die Halbleiterzone (2) kontaktierenden Anode (4) und einer den Halbleiterkörper (1) kontaktierenden Kathode (5). Im Halbleiterkörper (1) ist mindestens ein floatendes Gebiet (6) des zweiten Leitungstyps vorgesehen.
(EN)The invention relates to a power diode structure having improved dynamic characteristics which comprises a semiconductor body (1) of a first conduction type. A semiconductor zone (2) of the other conduction type which is contrary to the first conduction type is embedded in the one surface of said semiconductor body (1). The power diode also comprises an anode (4) which contacts the semiconductor zone (2), and has a cathode (5) which contacts the semiconductor body (1). At least one floating region (6) of the second conduction type is provided in the semiconductor body (1).
(FR)L'invention concerne une structure de diode de puissance présentant des caractéristiques dynamiques améliorées, qui comporte un corps de semi-conducteur (1) d'un type de conduction, dans une surface duquel est incorporée une zone de semi-conducteur (2) de l'autre type de conduction, c'est-à-dire opposé au premier, une anode (4) en contact avec ladite zone de semi-conducteur (2) et une cathode (5) en contact avec ledit corps de semi-conducteur (1). Dans le corps de semi-conducteur (1) se trouve au moins une région (6) flottante du second type de conduction.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)