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1. (WO1999062112) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SCHOTTKY-DIODEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1999/062112    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1999/001428
Veröffentlichungsdatum: 02.12.1999 Internationales Anmeldedatum: 11.05.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    12.11.1999    
IPC:
H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
LOSEHAND, Reinhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WERTHMANN, Hubert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: LOSEHAND, Reinhard; (DE).
WERTHMANN, Hubert; (DE)
Vertreter: ZIMMERMANN & PARTNER; P.O. Box 33 09 20, 80069 München (DE)
Prioritätsdaten:
198 23 481.3 26.05.1998 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SCHOTTKY-DIODEN
(EN) METHOD FOR PRODUCING SCHOTTKY DIODES
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE DIODES SCHOTTKY
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schottky-Dioden, die im Randbereich des Schottky-Kontaktes einen dotierten Schutzring (7) aufweisen. Der Schutzring (7) wird mittels Abscheiden eines Hoch-Barrieren-Materials (4) insbesondere aus Platin auf die vorher mit einer strukturierten Maskierungsschicht (3) versehene Oberfläche der Halbleiterschicht (2) und anschließendem Rückätzen hergestellt.
(EN)The invention relates to a method for producing Schottky diodes which comprise a doped guard ring (7) in the marginal area of the Schottky contact. Said guard ring (7) is produced by depositing a high barrier material (4), especially made of platinum, on the surface of the semiconductor layer (2), said surface being provided with a structured masking layer (3) beforehand, and by a subsequent etch-backing.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de diodes Schottky qui présentent, dans la zone marginale du contact Schottky, un anneau de protection (7) dopé. L'anneau de protection (7) est réalisé par dépôt d'un matériau haute barrière (4), en particulier du platine, sur la surface de la couche de semi-conducteur (2) préalablement pourvue d'une couche de masquage (3) structurée, et par gravure en retrait subséquente.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)