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1. (WO1999062069) MRAM-SPEICHER SOWIE VERFAHREN ZUM LESEN/SCHREIBEN DIGITALER INFORMATION IN EINEN DERARTIGEN SPEICHER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1999/062069    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP1999/003668
Veröffentlichungsdatum: 02.12.1999 Internationales Anmeldedatum: 27.05.1999
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    11.11.1999    
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/22 (2006.01)
Anmelder: HILLEBRANDS, Burkard [DE/DE]; (DE).
STAMPS, Robert, Leon [US/AU]; (AU) (For US Only)
Erfinder: HILLEBRANDS, Burkard; (DE).
STAMPS, Robert, Leon; (AU)
Vertreter: DR. WEITZEL & PARTNER; Friedenstrasse 10, D-89522 Heidenheim (DE)
Prioritätsdaten:
198 23 826.6 28.05.1998 DE
Titel (DE) MRAM-SPEICHER SOWIE VERFAHREN ZUM LESEN/SCHREIBEN DIGITALER INFORMATION IN EINEN DERARTIGEN SPEICHER
(EN) MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR READING/WRITING DIGITAL INFORMATION TO SUCH A MEMORY
(FR) MEMOIRE MAGNETIQUE A ACCES DIRECT (MRAM) ET PROCEDE DE LECTURE/ECRITURE D'INFORMATIONS NUMERIQUES DANS UNE TELLE MEMOIRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Digitale magnetische Speicherzelleneinrichtung für Lese- und/oder Schreiboperationen mit einer ersten und einer zweiten magnetischen Schicht, deren Magnetisierung zur Speicherung digitaler Informationen zueinander parallel oder antiparallel ausgerichtet ist, wobei wenigstens eine der magnetischen Schichten eine magnetische Anisotropie aufweist; einer Zwischenschicht zwischen erster und zweiter magnetischer Schicht sowie mindestens zwei sich kreuzenden Leiterbahnen zum Leiten von Lese- und Schreibströmen; Mittel zum Umschalten der Magnetisierung mindestens einer der magnetischen Schichten von einer parallelen in eine antiparallele Ausrichtung und umgekehrt; wobei die Umschaltmittel Einrichtungen zum Erzeugen von Strömen und/oder Strompulsen auf einer ersten und einer zweiten Leiterbahn der mindestens zwei sich kreuzenden Leiterbahnen umfassen. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnen sich unter einem vorbestimmten Winkel $g(b) kreuzen, so daß in der Speicherzelleneinrichtung im Kreuzungsbereich mit Strompulsen einer Pulsdauer < 10 ns ein vollständiges und sicheres Umschalten der Magnetisierung von einer parallelen in eine antiparallelle Ausrichtung und umgekehrt erreicht wird.
(EN)The invention relates to a digital magnetic memory cell device for read and/or write operations, comprising: a first and a second magnetic layer whose magnetization is oriented parallel or antiparallel for the storage of digital information, whereby at least one of the magnetic layers presents a magnetic anisotropy; an intermediate layer between the first and second magnetic layer and at least two intersecting printed conductors for read and write currents; means for switching the magnetization of at least one of the magnetic layers from a parallel to an antiparallel orientation and vice versa, whereby said switching means have devices for generating currents and/or current pulses on a first and a second printed conductor of the at least two intersecting printed conductors. The invention is characterized in that the printed conductors intersect at a defined angle $g(b) so that current pulses having a pulse duration < 10 ns make it possible to switch the magnetization fully and securely from a parallel to an antiparallel orientation and vice versa in the area of intersection in the memory cell device.
(FR)L'invention concerne un dispositif à cellules mémoires magnétiques numériques pour des opérations de lecture et/ou d'écriture, comportant: une première et une deuxième couche magnétique, dont la magnétisation est orientée de manière parallèle ou antiparallèle pour la mémorisation d'informations numériques, au moins une des couches magnétiques présentant une anisotropie magnétique; une couche intermédiaire entre la première et la deuxième couche magnétique, ainsi qu'au moins deux tracés conducteurs se croisant, servant à guider des flux de lecture et d'écriture; des moyens de commutation pour que la magnétisation d'au moins une des couches magnétiques passe d'une orientation parallèle à une orientation antiparallèle, ces moyens de commutation présentant des dispositifs pour produire des flux et/ou des impulsions de courant sur le premier et le deuxième desdits tracés conducteurs se croisant. L'invention est caractérisée en ce que les tracés conducteurs se croisent en formant un angle $g(b) prédéterminé, de sorte que des impulsions de courant d'une durée < 10 ns permettent de faire passer la magnétisation, de manière totale et sûre, d'une orientation parallèle à une orientation antiparallèle et vice-versa, au niveau de la zone d'intersection dans le dispositif à cellules mémoires.
Designierte Staaten: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)