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1. (WO1999033088) EINRICHTUNG ZUM BETREIBEN EINER NIEDERDRUCKENTLADUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1999/033088    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE1998/003427
Veröffentlichungsdatum: 01.07.1999 Internationales Anmeldedatum: 17.11.1998
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    18.06.1999    
IPC:
H01J 37/34 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54, D-80636 München (DE) (For All Designated States Except US).
GOEDICKE, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FIETZKE, Fred [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WINKLER, Torsten [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: GOEDICKE, Klaus; (DE).
FIETZKE, Fred; (DE).
WINKLER, Torsten; (DE)
Prioritätsdaten:
197 57 353.3 22.12.1997 DE
Titel (DE) EINRICHTUNG ZUM BETREIBEN EINER NIEDERDRUCKENTLADUNG
(EN) DEVICE FOR USING A LOW PRESSURE DISCHARGE
(FR) DISPOSITIF POUR LA MISE EN ACTION D'UN SYSTEME DE DECHARGE BASSE PRESSION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die bekannten Einrichtungen zum Betreiben von Niederdruckentladungen nach dem Magnetronprinzip werden mit Gleichstrom betrieben und dienen der Zerstäubung von elektrisch leitendem Material. Es werden auch mehrere Zerstäubungsquellen mit Wechselstrom betrieben und somit jedes Target wechselweise als Katode und Anode wirksam. Es ist auch die mittelfrequent gepulste Energieeinspeisung bekannt, die nur für elektrisch leitende Substrate geeignet ist. Gemeinsam erfordern alle Ausführungen eine aufwendige Stromversorgungseinrichtung. Erfindungsgemäß wird mindestens eine Magnetroneinrichtung an eine mittelfrequente Stromversorgungseinrichtung angeschlossen und dem Target und einer isoliert außerhalb des Bereiches hoher Plasmadichte angeordneten Gegenelektrode eine sinusförmige Wechselspannung zugeführt. Die Einrichtung ist zum Beschichten beliebiger Substrate mit einer Vielzahl von Materialien geeignet.
(EN)Known devices for using low pressure discharges according to the magnetron principle are operated with a direct current and are used for sputtering electroconductive material. Several sputtering sources can also be operated with an alternating current so that each target alternates between acting as a cathode and acting as an anode. Medium frequency pulsed energy injection is also known, this being only suitable for electroconductive substrates. All of these configurations require an expensive power supply device. According to the invention, at least one magnetron device is connected to a medium frequency power supply device and a sinusoidal alternating current is fed to the target and to an isolated counter electrode situated beyond the high plasma density range. The inventive device is suitable for coating any substrate with a plurality of materials.
(FR)Les dispositifs connus permettant de faire fonctionner des systèmes de décharge suivant le principe du magnétron sont actionnés par le courant continu et servent à la pulvérisation de matériaux électro-conducteurs. Plusieurs sources de pulvérisation peuvent également fonctionner en courant alternatif, de sorte que chaque cible joue alternativement le rôle de cathode et d'anode. On connaît également un système d'alimentation pulsée moyenne fréquence qui ne convient, toutefois, que pour des substrats électro-conducteurs. Toutes ces formes d'exécution nécessitent des dispositifs d'alimentation coûteux. Conformément à l'invention, au moins un dispositif magnétron est connecté à un dispositif d'alimentation de courant moyenne fréquence et un courant alternatif sinusoïdal alimente la cible et une contre-électrode montée, isolée, en dehors de la zone à haute densité de plasma. Le dispositif selon l'invention est utilisé pour le revêtement de tout substrat par une pluralité de matériaux.
Designierte Staaten: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)