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1. (WO1999013511) P-DOTIERTES SILIZIUM-MAKROMOLEKÜL MIT MEHRFLÄCHIGER STRUKTUR, VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG UND VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS SOWIE BASIEREND AUF DEM SILIZIUM-MAKROMOLEKÜL AUFGEBAUTER TRANSISTOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1999/013511    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1998/002668
Veröffentlichungsdatum: 18.03.1999 Internationales Anmeldedatum: 09.09.1998
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    09.04.1999    
IPC:
H01L 29/26 (2006.01)
Anmelder: SCHMITT, Klaus [DE/DE]; (DE).
MARTIN, Reinhold [DE/DE]; (DE)
Erfinder:
Vertreter: MARTIN, Reinhold; Altheimer Eck 5, D-80331 München (DE)
Prioritätsdaten:
197 39 491.4 09.09.1997 DE
197 43 755.9 02.10.1997 DE
197 46 395.9 21.10.1997 DE
Titel (DE) P-DOTIERTES SILIZIUM-MAKROMOLEKÜL MIT MEHRFLÄCHIGER STRUKTUR, VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG UND VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS SOWIE BASIEREND AUF DEM SILIZIUM-MAKROMOLEKÜL AUFGEBAUTER TRANSISTOR
(EN) P-DOPED SILICON MACROMOLECULE WITH A MULTILAYER STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD, AND A TRANSISTOR CONSTRUCTED ON THE BASIS OF THE SILICON MACROMOLECULE
(FR) MACROMOLECULE DE SILICIUM A DOPAGE p A STRUCTURE EN MULTIFACETTES, PROCEDE ET DISPOSITIF POUR SA PREPARATION, AINSI QUE TRANSISTOR REALISE A BASE DE CETTE MACROMOLECULE DE SILICIUM
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein p-dotiertes Silizium-Makromolekül mit mehrflächiger Struktur, bei dem jedem Siliziumatom ein Dotierstoffatom molekular zugeordnet ist, das Dotierstoffatom der jeweiligen Moleküle an den Ecken eines äußeren Mehrflächners angeordnet ist, und das Siliziumatom der jeweiligen Moleküle an den Ecken eines zum äußeren Mehrflächner seitenparallelen inneren Mehrflächners angeordnet ist.
(EN)The invention relates to a P-doped silicon macromolecule with a multilayer structure. A dopant atom is molecularly allocated to each silicon atom, the dopant atom of each molecule being located on the corners of an outer multi-surfaced structure and the silicon atom of each molecule being located on the corners of an inner multi-surfaced structure which is laterally parallel to the outer multi-surfaced structure.
(FR)L'invention concerne une macromolécule de silicium à dopage p à structure en multifacettes, dans laquelle un atome d'agent de dopage est associé par voie moléculaire à chaque atome de silicium. Cet atome d'agent de dopage des molécules respectives est disposé aux coins d'un élément multifacettes extérieur, et l'atome de silicium des molécules respectives est disposé aux coins d'un élément multifacettes intérieur latéralement parallèle à l'élément multifacettes extérieur.
Designierte Staaten: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)