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1. (WO1999012205) MEHRFARBENSENSOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1999/012205    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1998/002593
Veröffentlichungsdatum: 11.03.1999 Internationales Anmeldedatum: 28.08.1998
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    22.03.1999    
IPC:
H01L 25/04 (2006.01)
Anmelder: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse, D-52425 Jülich (DE) (For All Designated States Except US).
STIEBIG, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KNIPP, Dietmar [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FÖLSCH, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WAGNER, Heribert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: STIEBIG, Helmut; (DE).
KNIPP, Dietmar; (DE).
FÖLSCH, Joachim; (DE).
WAGNER, Heribert; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH; Personal und Recht - Patente (PR-PT), D-52425 Jülich (DE)
Prioritätsdaten:
197 37 561.8 28.08.1997 DE
Titel (DE) MEHRFARBENSENSOR
(EN) MULTICOLOR-COLOR SENSOR
(FR) DETECTEUR DE PLUSIEURS COULEURS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Mehrfarbensensor mit eine Mehrzahl von Diodenfunktionen enthaltender Schichtenfolge mit p- und n-dotierten Schichten. Dabei ist von mindestens einer zur Kontaktierung der innenliegenden Kontakte eine Schicht mikrokristallin ausgebildet. Dabei können pin-, nip-, npin- und/oder pnip-Strukturen zur Bildung der Diodenfunktionen vorgesehen sein.
(EN)The invention relates to a multicolor sensor with a plurality of diode functions comprising a succession of layers with p and n doped layers. A microcrystaline layer is thus constructed from at least one of the internal contacts for contacting. According to the invention, pin, nip, npin and/or pnip structures are provided to form the diode functions.
(FR)L'invention concerne un détecteur de plusieurs couleurs comprenant une pluralité de fonctions à diodes à succession de couches dopées p et n. Au moins l'une de ces couches destinée à la mise en contact des contacts intérieurs, est réalisée sous la forme d'une couche microcristalline. Des structures pin, nip, npin et/ou pnip peuvent être prévues pour la formation de fonctions à diodes.
Designierte Staaten: CA, DE, JP, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)