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1. (WO1999004437) VERTIKALER LEISTUNGS-MOSFET
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1999/004437    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE1998/002020
Veröffentlichungsdatum: 28.01.1999 Internationales Anmeldedatum: 17.07.1998
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/167 (2006.01), H01L 29/32 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 31/062 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacher Platz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
DEBOY, Gerald [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TIHANYI, Jenoe [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: DEBOY, Gerald; (DE).
TIHANYI, Jenoe; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-80506 München (DE)
Prioritätsdaten:
197 30 759.0 17.07.1997 DE
Titel (DE) VERTIKALER LEISTUNGS-MOSFET
(EN) VERTICAL POWER MOSFET
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MOS VERTICAL DE PUISSANCE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen vertikalen Leistungs-MOSFET mit in einer Innenzone (1) angeordneten zusätzlichen Zonen (11, 12), die den gleichen und den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie die Innenzone (1) haben. Die Ladungsträger-Lebensdauer ist in den zusätzlichen Zonen (12), die den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Innenzone (1) aufweisen, vermindert, und die zusätzlichen Zonen (11, 12) sind so dimensioniert, daß die Raumladungszone den von der oberen Oberfläche des MOSFET abgewandten Rand der zusätzlichen Zone (12) vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Innenzone (1) praktisch nicht überschreitet.
(EN)The invention relates to a vertical power MOSFET, comprising additional zones (11, 12) arranged in an inner zone (1), said zones having the same and inverse type of conductivity as the inner zone (1). The charge carrier service life is reduced in the additional zones (12) having the same conductivity as the inner zone (1). The additional zones (11, 12) are dimensioned in such a way that the space charge zone practically does not exceed the edge opposite to the upper surface of the MOSFET in the additional zone (12) having the same conductivity as the inner zone (1).
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ MOS vertical de puissance comprenant des zones supplémentaires (11,12) disposées dans une zone intérieure (1), et présentant le même type de conductivité que celui de la zone intérieure (1) et un type de conductivité opposé à celui de ladite zone intérieure (1). La durée de vie des porteurs de charge est réduite dans les zones supplémentaires (11, 12) dont le type de conductivité est le même que celui de la zone intérieure (1). Les zones supplémentaires (11, 12) sont dimensionnées de manière que la zone de charge spatiale ne dépasse pratiquement pas le bord opposé, par rapport à la surface du transistor à effet de champ MOS, de la zone supplémentaire (12) qui est du même type de conductivité que celui de la zone intérieure (1).
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)