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1. (WO1999004399) HALBLEITERSPEICHER MIT NICHT-FLÜCHTIGEN ZWEI-TRANSISTOR-SPEICHERZELLEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1999/004399    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE1998/001970
Veröffentlichungsdatum: 28.01.1999 Internationales Anmeldedatum: 14.07.1998
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    05.01.1999    
IPC:
G11C 16/04 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, D-81541 München (DE) (For All Designated States Except US).
POCKRANDT, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SEDLAK, Holger [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VIEHMANN, Hans-Heinrich [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: POCKRANDT, Wolfgang; (DE).
SEDLAK, Holger; (DE).
VIEHMANN, Hans-Heinrich; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-80506 München (DE)
Prioritätsdaten:
197 30 116.9 14.07.1997 DE
Titel (DE) HALBLEITERSPEICHER MIT NICHT-FLÜCHTIGEN ZWEI-TRANSISTOR-SPEICHERZELLEN
(EN) SEMICONDUCTOR MEMORY WITH NON-VOLATILE DUAL TRANSISTOR MEMORY CELLS
(FR) MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS A CELLULES BITRANSISTORS REMANENTES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Halbleiterspeicher mit insbesondere nicht-flüchtigen Zwei-Transistor-Speicherzellen, die einen N-Kanal-Auswahltransistor und einen N-Kanal-Speichertransistor aufweist, wobei eine Ansteuerschaltung mit einem Transfertransistor vorgesehen ist, die ebenfalls Gegenstand der Erfindung ist. Beim erfindungsgemäßen Halbleiterspeicher ist der Transfertransistor als P-Kanal-Transfertransistor ausgeführt, wobei ein Transfer-Kanalanschluß mit einer zu der Speicherzelle führenden Zeilenleitung in Verbindung steht. Dadurch können die zum Programmieren notwendigen Spannungen mit geringerem technologischen Aufwand erzielt werden.
(EN)The invention relates to a semiconductor memory, especially with non-volatile dual transistor memory cells, comprising an N-channel selection transistor and an N-channel memory transistor, wherein a trigger circuit with a transfer transistor is also provided and is also the object of the invention. The transfer transistor in the inventive seminconductor is embodied as a P-channel transfer transistor, wherein a transfer channel connection is linked to a row circuit leading to the memory cell. This enables the voltages required for programming to be obtained with little technological effort.
(FR)L'invention concerne une mémoire à semi-conducteurs à cellule bitransistor notamment rémanente, laquelle comporte un transistor de sélection à canal N et un transistor de mémorisation à canal N, un circuit d'amorçage pourvu d'un transistor de transfert étant prévu et faisant également l'objet de l'invention. Dans cette mémoire à semi-conducteurs, le transistor de transfert est à canal P, une interface du canal de transfert étant reliée avec un circuit à lignes menant à la cellule de mémoire. Il est ainsi possible d'atteindre, avec une moindre complexité technique, les tensions nécessaires à la programmation.
Designierte Staaten: BR, CN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)