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1. WO1998059098 - VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG ELEKTRISCH LEITFÄHIGER DURCHGÄNGE IN HALBLEITER-BAUELEMENTEN

Veröffentlichungsnummer WO/1998/059098
Veröffentlichungsdatum 30.12.1998
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1998/001768
Internationales Anmeldedatum 22.06.1998
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 18.01.1999
IPC
H01L 21/00 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
H01L 21/768 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
71Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L21/7075
768Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen
H01L 31/02 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02Einzelheiten
CPC
H01L 21/67115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67115mainly by radiation
H01L 21/76898
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76898formed through a semiconductor substrate
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 31/02005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
02005for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
Anmelder
  • DR. JOHANNES HEIDENHAIN GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • SILICON SENSOR GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • KRIEGEL, Bernd [DE]/[DE] (UsOnly)
  • KUDELLA, Frank [DE]/[DE] (UsOnly)
  • ARNOLD, Rene [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • KRIEGEL, Bernd
  • KUDELLA, Frank
  • ARNOLD, Rene
Vertreter
  • MÜLLER, Wolfram, H.
Prioritätsdaten
197 27 693.820.06.1997DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG ELEKTRISCH LEITFÄHIGER DURCHGÄNGE IN HALBLEITER-BAUELEMENTEN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING ELECTRICALLY CONDUCTIVE CONTINUITY IN SEMICONDUCTOR COMPONENTS
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR L'OBTENTION DE PASSAGES ELECTRO-CONDUCTEURS DANS DES COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung elektrisch leitfähiger Durchgänge in vorzugsweise auf einem Halbleiter angeordneten Halbleiter-Bauelementen mittels Thermomigration durch Erzeugen eines Temperaturgradienten zwischen zwei entgegengesetzten Oberflächen der Halbleiter-Bauelemente und Aufbringen eines leitfähigen Dotierungsstoffes auf die kühlere Oberfläche. Die eine Oberfläche des Halbleiters wird auf einer gekühlten Probenaufnahme angeordnet und die entgegengesetzte Oberfläche einer Wärmestrahlung ausgesetzt, die sowohl in ihrer Gesamtleistung als auch in ihrer Leistungsverteilung über die Fläche des Halbleiters steuerbar ist. Die Gesamtleistung und/oder die Leistungsverteilung der Wärmestrahlung wird in Abhängigkeit von der an mindestens einem Temperatur-Meßpunkt auf dem Halbleiter bzw. dem Halbleiter-Bauelement gemessenen Temperatur eingestellt.
(EN)
The invention relates to a method and device for producing electrically conductive continuity in semiconductor components, preferably mounted on a semiconductor, by means of thermomigration, wherein a temperature gradient between two opposing surfaces of the semiconductor component is produced and a conductive dopant is applied on the cooler surface. One surface of the semiconductor is arranged on a cooled sampling and the opposite surface is exposed to heat radiation whose total output and power distribution can be regulated on the surface of the semiconductor. The total output and/or power distribution of the heat radiation is regulated depending on the temperature measured on at least one measuring point on the semiconductor or the semiconductor component.
(FR)
L'invention concerne un procédé et un dispositif pour l'obtention de passages électro-conducteurs dans des composants semi-conducteurs montés de préférence sur un semi-conducteur, par thermomigration par production d'un gradient de température entre deux surfaces opposées du composant semi-conducteur et application d'une substance de dopage conductrice sur la surface la plus froide. L'une des surfaces du semi-conducteur est disposée sur un logement d'essai refroidi et la surface opposée est exposée à un rayonnement thermique pouvant être réglé sur la surface du semi-conducteur, relativement, à la fois, à sa puissance totale et à sa répartition de puissance. La puissance totale et/ou la répartition de puissance du rayonnement thermique sont réglées en fonction de la température mesurée sur au moins un point de mesure de température sur le semi-conducteur ou sur le composant semi-conducteur.
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