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1. WO1998057374 - STROMRICHTER SOWIE SEINE VERWENDUNG

Veröffentlichungsnummer WO/1998/057374
Veröffentlichungsdatum 17.12.1998
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1998/001475
Internationales Anmeldedatum 29.05.1998
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 02.12.1998
IPC
H01L 27/06 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
02mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
06mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration
H01L 29/24 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02Halbleiterkörper
12gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen
24nur mit anorganischen Halbleitermaterialien, soweit diese nicht in H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20 oder H01L29/22206
H01L 29/739 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66Typen von Halbleiterbauelementen
68steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
70Bipolare Bauelemente
72Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar
739gesteuert durch Feldeffekt
CPC
H01L 27/0629
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0611integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
0617comprising components of the field-effect type
0629in combination with diodes, or resistors, or capacitors
H01L 29/1608
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
16including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
1608Silicon carbide
H01L 29/7392
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
739controlled by field-effect, ; e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
7391Gated diode structures
7392with PN junction gate, e.g. field controlled thyristors (FCTh), static induction thyristors (SITh)
H01L 29/7395
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
739controlled by field-effect, ; e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
7393Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
7395Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
Anmelder
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • BAUDELOT, Eric [FR]/[DE] (UsOnly)
  • BRUCKMANN, Manfred [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MITLEHNER, Heinz [DE]/[DE] (UsOnly)
  • STEPHANI, Dietrich [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • BAUDELOT, Eric
  • BRUCKMANN, Manfred
  • MITLEHNER, Heinz
  • STEPHANI, Dietrich
Prioritätsdaten
197 24 269.309.06.1997DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) STROMRICHTER SOWIE SEINE VERWENDUNG
(EN) POWER CONVERTER AND THE USE THEREOF
(FR) CONVERTISSEUR ET SON UTILISATION
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft einen Stromrichter (19) umfassend zumindest ein Halbleiterbauelement mit einem Substrat (1), auf welchem eine Reihenschaltung (2, 3) umfassend ein aktives Schaltelement (2), welches durch Anlegen einer entsprechenden elektrischen Spannung in einen schaltbaren Zustand oder einen leitenden Zustand versetzbar ist, und eine Diode (3) aufgebaut ist, sowie die Verwendung eines solchen Stromrichters (19). Das Halbleiterelement besteht vorzugsweise aus einem Halbleiter mit großer Durchbruchfeldstärke, insbesondere Siliziumcarbid.
(EN)
The invention relates to a power converter (19) comprising at least one semi-conductor element having a substrate (1) with a series connection (2, 3) having an active switching element (2) that can be switched into a switching position or a conducting position by applying an appropriate electrical voltage, in addition to a diode (3). The invention also relates to the use of said power converter (19). Preferably, the semi-conductor element consists of a semi-conductor with high break-through field intensity, specially silicon carbide.
(FR)
L'invention concerne un convertisseur (19) comportant au moins un composant semi-conducteur pourvu d'un substrat (1) sur lequel est réalisé un montage en série (2, 3) comprenant un élément de commutation actif (2) pouvant être mis dans un état commutable ou un état conducteur par application d'une tension électrique correspondante, et une diode (3), ainsi que l'utilisation d'un tel convertisseur (19). L'élément semi-conducteur est constitué de préférence d'un semi-conducteur à grande intensité de champs de claquage, notamment du carbure de silicium.
Auch veröffentlicht als
US09456715
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten