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1. (WO1998029721) A THIN FILM RESONANT MICROBEAM ABSOLUTE PRESSURE SENSOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/1998/029721 Internationale Anmeldenummer PCT/US1997/020956
Veröffentlichungsdatum: 09.07.1998 Internationales Anmeldedatum: 17.11.1997
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 27.07.1998
IPC:
G01L 9/00 (2006.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
L
Messen von Kraft, mechanischer Spannung, Drehmoment, Arbeit, mechanischer Leistung, mechanischem Wirkungsgrad oder des Drucks von Fluiden
9
Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische, druckempfindliche Elemente; Übertragen oder Anzeigen der Verschiebung druckempfindlicher Elemente, verwendet zum Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische Einrichtungen
Anmelder:
HONEYWELL INC. [US/US]; Honeywell Plaza Minneapolis, MN 55408, US
Erfinder:
HERB, William, R.; US
BURNS, David, W.; US
Vertreter:
SHUDY, John, G., Jr.; Honeywell Inc. Honeywell Plaza - MN12-8251 P.O. Box 524 Minneapolis, MN 55440-0524, US
Prioritätsdaten:
08/777,65131.12.1996US
Titel (EN) A THIN FILM RESONANT MICROBEAM ABSOLUTE PRESSURE SENSOR
(FR) DETECTEUR DE PRESSION ABSOLUE A MICROFAISCEAU RESONANT A COUCHE MINCE
Zusammenfassung:
(EN) A micromechanical sensor having a polysilicon beam that is an integral part of the diaphragm resulting in a frequency of the beam that is a direct result of the pressure applied to the external surface of the diaphragm. Fabrication of this resonant microbeam sensor has no backside wafer processing, and involves a process and layout independent of wafer thickness for high yield and robustness. Both the diaphragm and resonant beam are formed from polysilicon. The sensor may have more than one resonant beam. The sensor beam or beams may be driven and sensed by electrical or optical mechanisms. For stress isolation, the sensor may be situated on a cantilevered single crystal silicon paddle. The sensor may be recessed on the isolating die for non-interfering interfacing with optical or electrical devices. The sensor die may be circular for ease in mounting with fiber optic components.
(FR) L'invention porte sur un détecteur micromécanique à faisceau de silicium polycristallin faisant partie intégrante de la membrane ce, ce qui fait que la fréquence du faisceau est le résultat direct de la pression appliquée sur la surface extérieure de la membrane. La fabrication de ce détecteur résonant à microfaisceau ne demande pas de traitement sur la face arrière de la plaquette et recourt à un procédé et à une disposition indépendants de l'épaisseur de la plaquette, ce qui donne un rendement et une robustesse élevés. La membrane ainsi que le faisceau résonant sont tous deux en silicium polycristallin. Le détecteur peut comporter plus d'un faisceau résonant. Le ou les faisceaux du détecteur peuvent être actionnés ou détectés par des mécanismes électriques ou optiques. On peut placer le détecteur sur une palette de silicium monocristallin en porte à faux pour l'isoler des contraintes. Le détecteur peut être monté en retrait sur le support isolant de manière à ne pas constituer une interface interférant avec les dispositifs optiques ou électriques. Le support du détecteur peut être circulaire pour faciliter son montage avec des composants de fibres optiques.
Designierte Staaten: CA, JP
Europäisches Patentamt (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)