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1. (WO1998022999) LASER- UND VERSTÄRKERSYSTEM ZUR ERZEUGUNG EINFREQUENTER LASERSTRAHLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1998/022999    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP1997/006219
Veröffentlichungsdatum: 28.05.1998 Internationales Anmeldedatum: 10.11.1997
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    06.06.1998    
IPC:
H01S 3/06 (2006.01), H01S 3/083 (2006.01), H01S 3/23 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01), H01S 5/50 (2006.01)
Anmelder: DAIMLER-BENZ AG [DE/DE]; Epplestrasse 225, D-70546 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
SCHMITT, Nikolaus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KÖNIGER, Max [DE/DE]; (DE) (For US Only).
UNGER, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PRIBIL, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SCHMITT, Nikolaus; (DE).
KÖNIGER, Max; (DE).
UNGER, Peter; (DE).
PRIBIL, Klaus; (DE)
Prioritätsdaten:
196 47 677.1 19.11.1996 DE
Titel (DE) LASER- UND VERSTÄRKERSYSTEM ZUR ERZEUGUNG EINFREQUENTER LASERSTRAHLUNG
(EN) LASER SYSTEM AND AMPLIFYING SYSTEM TO PRODUCE SINGLE-FREQUENCY LASER IRRADIATION
(FR) SYSTEME LASER ET AMPLIFICATEUR POUR PRODUIRE UN FAISCEAU LASER A UNE SEULE FREQUENCE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Bei einem einfrequenten Laser- und Verstärker-System wird vorgeschlagen, dass die Strahlung eines einfrequenten, diodengepumpten Festkörperlasers (4), vorzugsweise eines Mikrokristall-Lasers oder monolithischen Ringlasers geringer Leistung, vorzugsweise aus Seltenerd- oder Übergangsmetall-dotierten Kristall- oder Glasmaterialien bestehend, eingekoppelt wird, in einen Halbleiter-Verstärker-Chip (5), welcher vorzugsweise aus GaA1As, InGaAs oder InGaAsP besteht, und welcher durch Wahl des Materialsystems sowie der epitaktischen Strukturierung auf die Emissionswellenlänge des Festkörperlasers (4) angepasst die einfrequente Strahlung des Festkörperlasers verstärkt und somit einen gegenüber der eingekoppelten Laserstrahlung verstärkten Ausgangsstrahl erzeugt.
(EN)A single frequency laser system and amplifying system, wherein the irradiation of a single-frequency, diode-pumped solid state laser (4), preferably a low-powered micro-crystal laser or monolithic ring laser, preferably made of a rare-earth or transition-metal-doped crystal or glass material, is coupled into a semiconductor-amplifier chip (5), preferably consisting of GaA1As, InGaAs or InGaAsP and which, through the choice of the material system and epitaxial structuring adapted to the emission wavelength of the solid state laser (4), amplifies the single frequency irradiation of the solid state laser, thereby producing an amplified output beam in comparison with the incoupled laser irradiation.
(FR)L'invention concerne un système laser et amplificateur à une seule fréquence pour lequel il est prévu que le faisceau d'un laser à solide (4) à une seule fréquence, pompé par diode, de préférence d'un laser monocristallin ou d'un laser annulaire monolithique de moindre puissance, de préférence à base de matériaux cristallins ou de matériaux en verre dopés aux terres rares ou aux métaux de transition, soit injecté dans une puce d'amplification à semi-conducteur (5) réalisée de préférence en GaA1As, en InGaAs ou en InGaAsP et qui amplifie le faisceau à une seule fréquence du laser à solide par le choix du système de matériau, ainsi que de la structure épitaxial, de manière adaptée à la longueur d'ondes d'émission du laser à solide (4), et produit ainsi un faisceau de sortie amplifié par rapport au faisceau laser injecté.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)