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1. (WO1998021751) OPTIMIERUNG DER LEISTUNGSVERBINDUNG ZWISCHEN CHIP UND LEITERRAHMEN FÜR LEISTUNGSSCHALTER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/1998/021751 Internationale Anmeldenummer PCT/DE1997/002631
Veröffentlichungsdatum: 22.05.1998 Internationales Anmeldedatum: 11.11.1997
IPC:
H01L 23/495 (2006.01) ,H01L 23/50 (2006.01)
Anmelder: SANDER, Rainald[DE/DE]; DE (UsOnly)
XU, Chihao[CN/DE]; DE (UsOnly)
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT[DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
Erfinder: SANDER, Rainald; DE
XU, Chihao; DE
Prioritätsdaten:
196 46 472.211.11.1996DE
Titel (EN) OPTIMIZING THE POWER CONNECTION BETWEEN CHIP AND CIRCUIT BOARD FOR A POWER SWITCH
(FR) OPTIMISATION DE LA CONNEXION DE PUISSANCE ENTRE UNE PUCE ET UN CADRE CONDUCTEUR POUR SECTIONNEUR DE PUISSANCE
(DE) OPTIMIERUNG DER LEISTUNGSVERBINDUNG ZWISCHEN CHIP UND LEITERRAHMEN FÜR LEISTUNGSSCHALTER
Zusammenfassung:
(EN) This invention proposes optimizing the power connection between a semiconductor chip and the circuit board with a solid-state switch by bonding wires which constitute the input power path of the circuit element symmetrical to the circuit board. The length of the bonding wires is then the same and shorter than for the asymmetrical connection since bonding is done from both sides.
(FR) Pour optimiser la connexion de puissance entre une puce à semi-conducteur et le cadre conducteur d'un sectionneur de puissance, il est prévu que les fils de liaison qui forment l'entrée du circuit de puissance de la partie de puissance soient connectés de manière symétrique par bonding sur le cadre conducteur. La longueur des fils de liaison est alors identique et plus courte que dans le cas d'une connexion asymétrique, du fait que le bonding est effectué depuis les deux côtés.
(DE) Zur Optimierung der Leistungsverbindung zwischen Halbleiterchip und Leiterrahmen bei einem Halbleiterschalter wird vorgeschlagen, daß die Bonddrähte, die den Leistungspfadeingang des Leistungsteills bilden, symmetrisch auf den Leiterrahmen aufgebondet werden. Die Länge der Bonddrähte ist dann gleich und kürzer als bei der asymmetrischen Verbindung, da von zwei Seiten angebondet wird.
Designierte Staaten: JP, US
Europäisches Patentamt (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)