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1. (WO1998019340) GROSSFLÄCHIGES HOCHSTROMMODUL EINES FELDGESTEUERTEN, ABSCHALTBAREN LEISTUNGS-HALBLEITERSCHALTERS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1998/019340    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE1997/002418
Veröffentlichungsdatum: 07.05.1998 Internationales Anmeldedatum: 20.10.1997
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    30.03.1998    
IPC:
H01L 25/07 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
OETJEN, Jens [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: OETJEN, Jens; (DE)
Prioritätsdaten:
196 44 009.2 31.10.1996 DE
Titel (DE) GROSSFLÄCHIGES HOCHSTROMMODUL EINES FELDGESTEUERTEN, ABSCHALTBAREN LEISTUNGS-HALBLEITERSCHALTERS
(EN) LARGE-AREA HIGH-CURRENT MODULE OF A FIELD-CONTROLLED INTERRUPTIBLE POWER SEMICONDUCTOR SWITCH
(FR) MODULE A COURANT ELEVE A SURFACE ETENDUE D'UN SECTIONNEUR DE PUISSANCE A SEMI-CONDUCTEUR INTERRUPTIBLE COMMANDE PAR LE CHAMP
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf ein großflächiges Hochstrommodul eines feldgesteuerten, abschaltbaren Leistungs-Halbleiterschalters, das zwei großflächige, gegenüberliegende Kontaktplatten und n feldgesteuerte, abschaltbare Niedervolt-Leistungs-Chips (6) aufweist, deren Drain-Anschlüsse mittels der einen Kontaktplatte (2) und deren Source-Anschlüsse (8) mittels der anderen Kontaktplatte (4) elektrisch parallel geschaltet sind, wobei diese Kontaktplatten (2, 4) an ihren Berührungsflächen jeweils voneinander isoliert sind. Erfindungsgemäß weist die eine Kontaktplatte (2) mehrere Ausnehmungen auf, in denen mittels Isolierungen (10) mehrere Sammelschienen (18) stecken, die elektrisch leitend mit den Source-Anschlüssen (8) der n Niedervolt-Leistungs-Chips (6) verbunden sind, und ist die Kontaktplatte (4), die die Source-Anschlüsse (8) der n Niedervolt-Leistungs-Chips (6) miteinander elektrisch leitend verbindet, mit zu diesen Sammelschienen korrespondierenden Stegen (20) versehen. Somit erhält man ein einfach herstellbares großflächiges hochstrommodul eines feldgesteuerten, abschaltbaren Leistungs-Halbleiterschalters, das mit einer GTO-Thyristorscheibe zu einer GTO-Kaskade-Schaltung in einem Gehäuse vereinigt werden kann.
(EN)The invention concerns a large-area high-current module of a field-controlled interruptible power semiconductor switch which comprises two large-area contact plates arranged opposite each other and n field-controlled interruptible low-volt power chips (6) whose drain terminals are electrically switched in parallel by one contact plate (2) and whose source terminals (8) are electrically switched in parallel by the other contact plate (4), these contact plates (2, 4) being insulated from each other at their contact faces. According to the invention, one contact plate (2) comprises a plurality of cavities into which insulation devices (10) plug a plurality of busbars (18) which are connected in an electrically conductive manner to the source terminals (8) of the n low-volt power chips (6). The contact plate (4), which connects the source terminals (8) of the n low-volt power chips (6) to one another in an electrically conductive manner, is provided with webs (20) corresponding to these busbars. As a result thereof, it is possible to produce in a simple manner a large-area high-current module of a field-controlled interruptible power semiconductor switch which can be combined in a housing with a GTO thyristor plate to form a GTO cascade circuit.
(FR)L'invention concerne un module à courant élevé à surface étendue d'un sectionneur de puissance à semi-conducteur interruptible commandé par le champ, qui comprend deux plaques de porte-contacts opposées à surface étendue et n puces à alimentation basse tension (6) interruptibles commandées par le champ, dont les connexions de drain sont montées électriquement en parallèle à l'aide d'une des plaques porte-contacts (2) et dont les connexions de source (8) sont montées en parallèle à l'aide de l'autre plaque porte-contacts (4), ces plaques porte-contacts (2, 4) étant toutes isolées les unes de autres au niveau de leurs surfaces de contact. Selon l'invention, une des plaques porte-contacts (2) comporte plusieurs cavités dans lesquelles sont fichées plusieurs barres collectrices (18) à l'aide d'isolations, qui sont connectés de manière électroconductrice aux connexions de source (8) des n puces à alimentation basse tension (6). La plaque porte-contacts (4) qui connecte de manière électroconductrice les connexions de source (8) des n puces à alimentation basse tension (6) est pourvue d'entretoises (20) correspondant aux barres collectrices. Ce système permet d'obtenir un module à courant élevé à surface étendue, facile à réaliser, d'un sectionneur de puissance à semi-conducteur interruptible commandé par le champ, qui peut être combiné dans un boîtier avec un disque de thyristor GTO pour former un circuit GTO en cascade.
Designierte Staaten: CN, JP, KR, RU, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)