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1. (WO1997049149) LASERDIODE-MODULATOR-KOMBINATION
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1997/049149    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1997/000925
Veröffentlichungsdatum: 24.12.1997 Internationales Anmeldedatum: 07.05.1997
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    27.11.1997    
IPC:
H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
BORCHERT, Bernd [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STEGMÜLLER, Bernhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STEINMANN, Philipp [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BORCHERT, Bernd; (DE).
STEGMÜLLER, Bernhard; (DE).
STEINMANN, Philipp; (DE)
Prioritätsdaten:
196 24 514.1 19.06.1996 DE
Titel (DE) LASERDIODE-MODULATOR-KOMBINATION
(EN) LASER DIODE MODULATOR COMBINATION
(FR) DIODE LASER ET MODULATEUR COMBINES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Monolithisch integrierte Kombination einer Laserdiode und eines Modulators, bei der ein Bereich einer gemeinsamen aktiven Schichtstruktur (2) für den Laser und ein daran angrenzender Anteil dieser Schichtstruktur für den Modulator verwendet wird, wobei diese Schichtstruktur eine MQW-Struktur mit voneinander entkoppelten asymmetrischen Potentialtöpfen ist. Die Materialzusammensetzungen in den Potentialtöpfen besitzen jeweils auf der n-Seite die kleinste Energiebandlücke und sind so an die Schichtstruktur angepaßt, daß sich bei Anlegen einer Potentialdifferenz in Sperrichtung eine Blauverschiebung der Absorptionskante über die Laserwellenlänge hinaus ergibt.
(EN)A monolithically integrated combination of a laser diode and a modulator is disclosed. An area of a common active stratified structure (2) is used for the laser and an adjacent part of said stratified structure is used for the modulator. The stratified structure is an MQW structure with mutually decoupled asymmetrical potential wells. The material compositions in the potential wells have the smallest energy bandgap at the n-side and are adapted in such a way to the stratified structure that when a potential difference is applied in the blocking direction, there occurs a blue shift of the absorption edge beyond the laser wavelength.
(FR)L'invention concerne l'association d'une diode laser et d'un modulateur monolithiquement intégrés. Une zone d'une structure stratifiée active commune (2) est utilisée pour le laser et une partie adjacente de cette structure stratifiée est utilisée pour le modulateur. Cette structure stratifiée est une structure à puits quantiques multiples à puits potentiels asymétriques mutuellement découplés. Les compositions dans les puits potentiels présentent l'énergie de bande interdite la plus faible du côté n et sont adaptées à la structure stratifiée de sorte que lorsqu'une différence de potentiel est appliquée dans la direction de blocage, il en résulte un décalage vers le bleu du bord d'absorption au-delà de la longueur d'onde du laser.
Designierte Staaten: CN, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)