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1. (WO1997032312) SCHALTUNGSANORDNUNG FÜR EINEN PROGRAMMIERBAREN NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1997/032312    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1997/000349
Veröffentlichungsdatum: 04.09.1997 Internationales Anmeldedatum: 27.02.1997
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    26.08.1997    
IPC:
G11C 16/10 (2006.01), G11C 29/28 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
GEORGAKOS, Georg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KERN, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SOMMER, Diether [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ZETTLER, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: GEORGAKOS, Georg; (DE).
KERN, Thomas; (DE).
SOMMER, Diether; (DE).
ZETTLER, Thomas; (DE)
Prioritätsdaten:
196 07 724.9 29.02.1996 DE
Titel (DE) SCHALTUNGSANORDNUNG FÜR EINEN PROGRAMMIERBAREN NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHER
(EN) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR A PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY
(FR) CIRCUIT DESTINE A UNE MEMOIRE NON VOLATILE PROGRAMMABLE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung für einen programmierbaren nichtflüchtigen Speicher, dessen Speicherzellen in Reihen und Spalten organisiert sind, enthält eine Programmierschaltung, die zum Testen erste Mittel enthält, die eine erste vorgegebene Anzahl von Speicherzellen parallel für eine erste vorgegebene Zeit mit einem Programmierstrom beaufschlagen. Diese Mittel schalten daraufhin während einer zweiten vorgegebenen Zeit eine zweite vorgegebene Anzahl, die größer als die erste Anzahl ist, parallel und beaufschlagen sie mit dem Programmierstrom.
(EN)The circuit arrangement according to the invention for a non-volatile memory whose memory cells are arranged in rows and columns contains a programming circuit which contains first means for testing that apply a programming current to a first predetermined number of memory cells in parallel for a first predetermined period. These means then switch a second predetermined number in parallel for a second predetermined period, the second number being greater than the first number, and apply the programming current to them.
(FR)Ce circuit destiné à une mémoire non volatile programmable, dont les cellules de mémoire sont disposées en rangées et en colonnes, contient un circuit de programmation comprenant des premiers moyens de test qui appliquent un courant de programmation à un premier nombre prédéterminé de cellules de mémoire en parallèle, pour une première période prédéterminée. Ces moyens commutent ensuite, pendant une deuxième période prédéterminée, un deuxième nombre prédéterminé (supérieur au premier) de cellules de mémoire en parallèle et leur appliquent le courant de programmation.
Designierte Staaten: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)