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1. (WO1997026657) VORRICHTUNG ZUR SPANNUNGSVERVIELFACHUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1997/026657    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1996/002387
Veröffentlichungsdatum: 24.07.1997 Internationales Anmeldedatum: 10.12.1996
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    07.08.1997    
IPC:
G11C 5/14 (2006.01), G11C 16/30 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
LAUTERBACH, Christl [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEBER, Werner [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: LAUTERBACH, Christl; (DE).
WEBER, Werner; (DE)
Prioritätsdaten:
196 01 369.0 16.01.1996 DE
Titel (DE) VORRICHTUNG ZUR SPANNUNGSVERVIELFACHUNG
(EN) VOLTAGE MULTIPLIER
(FR) MULTIPLICATEUR DE TENSION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Der Anmeldungsgegenstand betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung einer negativen Hochspannung, wie sie beispielsweise zum Programmieren von Flash-EEPROMs benötigt wird. Der Anmeldungsgegenstand weist u.a. den Vorteil auf, daß zur Verminderung des Substratsteuereffekts die kanalbildenden Wannen der jeweiligen Transistoren mit einem Anschluß eines jeweiligen Transistors verbindbar sind, ohne daß dabei die negative Hochspannung die Substrat-Wannendiode in Vorwärtsrichtung gepolt wird und so ein Kurzschluß gegenüber dem Substrat auftritt.
(EN)The invention concerns a device for generating a high negative voltage, as is needed in the programming of flash EEPROMs for instance. One advantage of the invention is that substrate control effects are reduced by virtue of the fact that the channel-forming wells of each of the transistors are connected to a terminal on one of the transistors, without the high negative voltage poling the substrate well diode in the forward direction and thus causing a short-circuit to the substrate.
(FR)L'invention concerne un dispositif permettant de créer une haute tension négative, telle que celle nécessitée par exemple pour la programmation des mémoires EEPROM flash. Le dispositif présente entre autres l'avantage suivant: pour diminuer l'effet d'induction du substrat, il est possible, dans chaque transistor, de relier les puits formant les canaux à une sortie sans que la haute tension négative polarise vers l'aval les diodes puits du substrat et donc provoque un court-circuit dans ce dernier.
Designierte Staaten: CN, JP, KR, RU, UA, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)