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1. (WO1997023911) HALBLEITERANORDNUNG ZUR STROMBEGRENZUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1997/023911    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1996/002347
Veröffentlichungsdatum: 03.07.1997 Internationales Anmeldedatum: 06.12.1996
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    26.06.1997    
IPC:
H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
STEPHANI, Dietrich [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEINERT, Ulrich [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: STEPHANI, Dietrich; (DE).
MITLEHNER, Heinz; (DE).
WEINERT, Ulrich; (DE)
Prioritätsdaten:
195 48 443.6 22.12.1995 DE
Titel (DE) HALBLEITERANORDNUNG ZUR STROMBEGRENZUNG
(EN) CURRENT-LIMITING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR POUR LIMITATION DE COURANT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Halbleiteranordnung enthält ein laterales Kanalgebiet (22) und ein anschließendes vertikales Kanalgebiet (29) in einem n-leitenden ersten Halbleitergebiet. Beide Kanalgebiete sind von der Verarmungszone (23) eines p-n-Übergangs begrenzt, der zwischen dem ersten Halbleitergebiet (2) und einem p-leitenden, in dem ersten Halbleitergebiet vergrabenen zweiten Halbleitergebiet gebildet ist.
(EN)The semiconductor arrangement comprises a lateral channel region (22) and an adjacent vertical channel region (29) in a first n-conductive semiconductor region. Both channel regions are bounded by the depletion zone (23) of a p-n transition formed between the first semiconductor region (2) and a p-conductive second semiconductor region buried in the first.
(FR)Le dispositif à semi-conducteur comporte une zone canal latérale (22) et une zone canal verticale adjacente (29) disposées dans une première zone semi-conductrice de type n. Les deux zones canal sont délimitées par la zone d'appauvrissement (23) d'une transition p-n, formée entre la première zone semi-conductrice (2) et une seconde zone semi-conductrice de type p enfouie dans la première zone semi-conductrice.
Designierte Staaten: CN, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)