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1. (WO1997023905) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NEURON-MOS-TRANSISTORS AUF DER BASIS EINES CMOS-PROZESSES
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1997/023905    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1996/002286
Veröffentlichungsdatum: 03.07.1997 Internationales Anmeldedatum: 28.11.1996
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    24.06.1997    
IPC:
H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
WEBER, Werner [DE/DE]; (DE) (For US Only).
THEWES, Roland [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: WEBER, Werner; (DE).
THEWES, Roland; (DE)
Prioritätsdaten:
195 48 529.7 22.12.1995 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NEURON-MOS-TRANSISTORS AUF DER BASIS EINES CMOS-PROZESSES
(EN) METHOD OF PRODUCING A NEURON MOS TRANSISTOR ON THE BASIS OF A CMOS PROCESS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN NEURISTOR MOS SUR LA BASE D'UN PROCEDE CMOS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Der Anmeldungsgegenstand betrifft ein Herstellverfahren für einen Neuron-MOS-Transistor, bei dem erforderliche Koppelkapazitäten entweder durch Kapazitäten mit ähnlichem Aufbau wie Transistoren oder durch als Kapazitäten beschaltete Transfergates eines CMOS-Standardprozesses gebildet werden. Ein wesentlicher Vorteil liegt in der hohen Prozeßkompatibilität zu einem CMOS-Standardprozeß.
(EN)The object of the application is a method of producing a neuron MOS transistor in which the necessary coupling capacitances are obtained either via capacitors with a similar structure to transistors or via transfer gates of a CMOS standard process arranged as capacitors. A substantial advantage is the great compatibility of the process with a standard CMOS process.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un neuristor MOS, dans lequel les condensateurs de couplage nécessaires sont constituées soit par des condensateurs ayant une structure similaire à celle des transistors, soit par des grilles de transfert d'un processus CMOS standard commutées comme des condensateurs. La grande compatibilité de ce procédé avec un processus CMOS standard en constitue un avantage important.
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)