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1. (WO1997023897) OPTOELEKTRONISCHES SENSOR-BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1997/023897    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1996/002478
Veröffentlichungsdatum: 03.07.1997 Internationales Anmeldedatum: 20.12.1996
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    16.07.1997    
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01)
Anmelder: DR. JOHANNES HEIDENHAIN GMBH [DE/DE]; Dr.-Johannes-Heidenhain-Strasse 5, D-83301 Traunreut (DE) (For All Designated States Except US).
SILICON SENSOR GMBH [DE/DE]; Ostendstrasse 1, D-12459 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
HOFBAUER, Hermann [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KRIEGEL, Bernd [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SPECKBACHER, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ULLRICH, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
DIETL, Rupert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: HOFBAUER, Hermann; (DE).
KRIEGEL, Bernd; (DE).
SPECKBACHER, Peter; (DE).
ULLRICH, Martin; (DE).
DIETL, Rupert; (DE)
Vertreter: MAIKOWSKI & NINNEMANN; Xantener Strasse 10, D-10707 Berlin (DE)
Prioritätsdaten:
195 49 228.5 21.12.1995 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHES SENSOR-BAUELEMENT
(EN) OPTO-ELECTRONIC SENSOR COMPONENT
(FR) CAPTEUR OPTOELECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf ein optoelektronisches Sensor-Bauelement mit einer ersten halbleitenden Schicht mit vorgegebenem Leitungstyp und einer zweiten Schicht vom anderen halbleitenden oder metallischen Leitungstyp, einem Übergangsbereich zwischen den beiden Schichten, mindestens einem Oberflächenbereich, durch den die zu detektierende elektromagnetische Strahlung in den Übergangsbereich eindringen kann (strahlungsseitiger Oberflächenbereich), und je einer Elektrode zum Anschluß der beiden Schichten an eine elektrische Schaltung. Die Elektroden (10, 11) beider Schichten (2, 3) werden an einer Oberfläche (7) des Bauelements (1) angeordnet, die gegenüber einem strahlungsseitigen Oberflächenbereich (6) liegt. Dies erleichtert den Anschluß des Sensor-Bauelements an eine auf einer Leiterplatte oder dergl. angeordnete elektrische Schaltung.
(EN)The invention relates to an opto-electronic sensor component comprising the following: a first semiconducting layer of predetermined conductivity type and a second layer of different semiconductor or metal conductivity type; a transition region between the two layers; at least one surface region through which the electromagnetic radiation to be detected can pass into the transition region (radiation-side surface region); and an electrode for each layer to connect both layers to an electrical circuit. The electrodes (10, 11) of the two layers (2, 3) are mounted on a surface (7) of the component (1) opposite a radiation-side surface region (6). This simplifies connection of the sensor component to an electrical circuit mounted on a circuit board or the like.
(FR)L'invention concerne un capteur optoélectronique comportant une première couche semi-conductrice d'un type de conductivité prédéterminé et une seconde couche constituée d'un semi-conducteur différent ou présentant un autre type de conductivité métallique, une zone de transition entre les deux couches, au moins une zone superficielle, par laquelle le rayonnement électromagnétique à détecter peut pénétrer dans la zone de transition (zone superficielle côté rayonnement), et une électrode par couche pour connecter les deux couches à un circuit électrique. Les électrodes (10, 11) des deux couches (2, 3) sont disposées sur une surface (7) du capteur (1), laquelle est opposée à une zone superficielle (6) côté rayonnement. Cela facilite la connexion du capteur à un circuit électrique disposé sur une carte à circuit imprimé ou analogue.
Designierte Staaten: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)