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1. (WO1997021241) VERFAHREN ZUR ANSTEUERUNG EINES FELDEFFEKTTRANSISTORS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/1997/021241 Internationale Anmeldenummer PCT/DE1996/002236
Veröffentlichungsdatum: 12.06.1997 Internationales Anmeldedatum: 21.11.1996
IPC:
G11C 8/00 (2006.01) ,H01L 27/02 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
8
Anordnungen zur Adressenauswahl für einen digitalen Speicher
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
Anmelder: SEDLAK, Holger[DE/DE]; DE (UsOnly)
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT[DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
Erfinder: SEDLAK, Holger; DE
Prioritätsdaten:
195 45 558.406.12.1995DE
Titel (EN) METHOD OF DRIVING A FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCEDE POUR COMMANDER UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(DE) VERFAHREN ZUR ANSTEUERUNG EINES FELDEFFEKTTRANSISTORS
Zusammenfassung:
(EN) A method is disclosed of driving a field effect transistor with a source section (2), a drain section (3) and a gate section (5): a gate voltage (UG) is applied to the gate section and ensures the formation and/or maintenance of an electrically conducting channel between the source and drain sections. The claimed method is characterised in that, once the channel has been formed, the gate section is cut off from a gate voltage source which provides it with the gate voltage.
(FR) L'invention concerne un procédé pour commander un transistor à effet de champ comportant trois zones: une source (2), un drain (3) et une grille (5). Une tension (UG) appliquée à la grille forme et/ou maintient un canal conducteur situé entre la source et le drain. Le procédé décrit est caractérisé en ce que, après formation du canal, la grille est séparée d'une source d'alimentation en tension de grille.
(DE) Es wird ein Verfahren zur Ansteuerung eines Feldeffekttransistors mit einem Sourceabschnitt (2), einem Drainabschnitt (3) und einem Gateabschnitt (5) beschrieben, wobei an den Gateabschnitt eine Gatespannung (UG) angelegt wird, die die Ausbildung und/oder Aufrechterhaltung eines elektrisch leitenden Kanals zwischen dem Sourceabschnitt und dem Drainabschnitt bewirkt. Das beschriebene Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß nach der Kanalausbildung der Gateabschnitt von einer diesen mit der Gatespannung beaufschlagenden Gatespannungs-Versorgungsquelle getrennt wird.
Designierte Staaten: CN, JP, KR, RU, UA, US
Europäisches Patentamt (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)