WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO1996032739) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRISCHEN KONTAKTS AUF EINER SiC-OBERFLÄCHE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1996/032739    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1996/000555
Veröffentlichungsdatum: 17.10.1996 Internationales Anmeldedatum: 29.03.1996
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    13.11.1996    
IPC:
H01L 21/04 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
RUPP, Roland [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: RUPP, Roland; (DE)
Prioritätsdaten:
195 14 081.8 13.04.1995 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRISCHEN KONTAKTS AUF EINER SiC-OBERFLÄCHE
(EN) PROCESS FOR PRODUCING AN ELECTRICAL CONTACT ON A SiC SURFACE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN CONTACT ELECTRIQUE SUR UNE SURFACE EN CARBURE DE SILICIUM (SiC)
Zusammenfassung: front page image
(DE)An der SiC-Oberfläche (3) wird zunächst eine Kohlenstoffschicht (4), vorzugsweise eine Graphitschicht, erzeugt. Anschließend wird diese Kohlenstoffschicht (4) mit einem carbidbildenden Metall (Me) in eine Metallcarbidschicht (7) umgewandelt. Der damit hergestellte SiC-Metallcarbid-Kontakt bildet insbesondere einen nahezu ungestörten Schottky-Kontakt.
(EN)A coating (4) of carbon, preferably graphite, is first applied to the SiC surface (3). Said carbon coating (4) is then converted into a metal carbide coating (7) with a carbide-forming metal (Me). The SiC-metal carbide contact thus produced forms in particular a virtually perfect Schottky contact.
(FR)Une couche de carbone (4), de préférence une couche de graphite, est réalisée sur une surface en carbure de silicium (SiC) (3). Cette couche de carbone (4) est ensuite transformée en une couche de carbure métallique (7), avec un métal carburigène (Me). Le contact carbure métallique-SiC ainsi obtenu constitue notamment un contact de Schottky pratiquement parfait.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)