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1. (WO1996030776) RF-SQUID MIT TANKSCHWINGKREIS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1996/030776    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1996/000529
Veröffentlichungsdatum: 03.10.1996 Internationales Anmeldedatum: 20.03.1996
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    16.10.1996    
IPC:
G01R 33/035 (2006.01)
Anmelder: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse, D-52425 Jülich (DE) (For All Designated States Except US).
ZHANG, Yi [CN/DE]; (DE) (For US Only).
GOTTSCHLICH, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SOLTNER, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: ZHANG, Yi; (DE).
GOTTSCHLICH, Martin; (DE).
SOLTNER, Helmut; (DE)
Prioritätsdaten:
195 11 172.9 28.03.1995 DE
Titel (DE) RF-SQUID MIT TANKSCHWINGKREIS
(EN) RF SQUID WITH TANK CIRCUIT
(FR) ANNEAU DE COMMUTATION A FREQUENCE DE RESONANCE AVEC CIRCUIT BOUCHON
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen rf-SQUID mit Tankschwingkreis. Es ist dabei Aufgabe der Erfindung, einen solchen SQUID zu schaffen, bei dem eine gegenüber bekannten SQUIDs erhöhte Variabilität und Zuverlässigkeit der Kopplung zwischen SQUID und Tankschwingkreis erzielt wird, ohne die Resonanzfrequenz und die Güte des SQUIDs zu beeinträchtigen. Dazu ist zur Ausbildung des Tankschwingkreises auf einem Substrat eine metallisch leitende Schicht vorgesehen, die so strukturiert ist, daß wenigstens eine laterale, flächige kapazitive Struktur mit einer lateral länglichen, induktiven Struktur verbunden ist. Ein solcher, in planarer Schichttechnik hergesteller Tankschwingkreis erlaubt, auf einem separaten Substrat gebildet, über Abstandshalterungen zum SQUID die erwünschte Variabilität bei Ankopplung des Tankschwingkreises an den SQUID in Flip-chip-Technik.
(EN)The invention relates to an r.f. SQUID with a tank circuit. It is the aim of the invention to provide such a SQUID in which the variability and reliability of the connection betwen the SQUID and the tank circuit are improved over prior art SQUIDs without adversely affecting the resonant frequency and quality of the SQUID. To this end, for the construction of the tank circuit there is a metallic conductive layer on a substrate which is structured in such a way that at least one lateral flat capacitive structure is bonded to a lateral elongated inductive structure. Such a tank circuit produced by the planar layer method provides the desired variability in the connection of the tank circuit to the SQUID by the flip-chip method on a separate substrate, with distance means.
(FR)La présente invention concerne un anneau de commutation à fréquence de résonance avec circuit bouchon. Elle vise à améliorer la variabilité et la fiabilité de la connexion entre l'anneau de commutation et le circuit bouchon par rapport aux anciens types d'anneau de commutation sans que la fréquence de résonance et la qualité de l'anneau de commutation n'en soient affectées. A cette fin, pour la construction du circuit bouchon, une couche conductrice métallique est appliquée sur un substrat structuré de telle sorte qu'au moins une structure capacitive plane latérale soit reliée à une structure inductive latérale allongée. Un circuit bouchon réalisé selon la technique des couches planaires permet d'obtenir, sur un substrat séparé, par le biais d'entretoises, la variabilité désirée pour le couplage du circuit bouchon à l'anneau de commutation selon la technique des puces à bosses.
Designierte Staaten: CA, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)