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1. (WO1996001500) FELDEFFEKT-TRANSISTOREN AUS SiC UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1996/001500    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP1995/002496
Veröffentlichungsdatum: 18.01.1996 Internationales Anmeldedatum: 27.06.1995
IPC:
H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
Anmelder: DAIMLER-BENZ AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; D-70546 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
LOOSE, Werner [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KOREÇ, Jacek [PL/DE]; (DE) (For US Only).
NIEMANN, Ekkehard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BOOS, Alfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: LOOSE, Werner; (DE).
KOREÇ, Jacek; (DE).
NIEMANN, Ekkehard; (DE).
BOOS, Alfred; (DE)
Vertreter: ERBACHER, Alfons; AEG Aktiengesellschaft, Patente, D-60591 Frankfurt (DE)
Prioritätsdaten:
P 44 23 068.0 01.07.1994 DE
Titel (DE) FELDEFFEKT-TRANSISTOREN AUS SiC UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
(EN) SiC FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND METHOD OF MANUFACTURING THEM
(FR) TRANSISTOR SiC A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Bei einem Feldeffekt-Transistor aus SiC mit einem Source-, einem Gate- und einem Drain-Kontakt ist vorgesehen, daß die Source-Kontakte auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe angeordnet sind, daß die Drain-Kontakte auf der Unterseite der Halbleiterscheibe angeordnet sind, daß die Gate-Kontakte in grabenförmigen Strukturen angeordnet sind, daß die grabenförmigen Strukturen die Source-Elektroden der Feldeffekt-Transistoren ringförmig umgeben und daß die Gate-Kontakte auf dem Boden der Gräben miteinander verbunden sind.
(EN)Proposed are SiC field-effect transistors with source, gate and drain contacts and in which the source contacts are located on the surface of the semiconductor wafer, the drain contacts on the underside of the wafer and the gate contacts in trench-like structures, the trench-like structures surrounding the source electrodes of the transistors in the shape of a ring and the gate contacts being connected to each other on the floors of the trenches.
(FR)L'invention a pour objet un transistor SiC à effet de champ, comprenant un contact source, un contact grille et un contact drain, caractérisé en ce que les contacts source sont disposés à la surface de la tranche de semi-conducteur, les contacts drain à la partie inférieure de cette tranche, et les contacts grille sont disposés dans des structures en forme d'alvéoles, en ce que lesdites structures entourent en forme d'anneau les électrodes source des transistors à effet de champ, et en ce que les contacts grille sont connectés entre eux en fond d'alvéoles.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)