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1. (WO1995033285) SILIZIUM-DÜNNSCHICHT AUF GLASSUBSTRAT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1995/033285    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP1995/002059
Veröffentlichungsdatum: 07.12.1995 Internationales Anmeldedatum: 30.05.1995
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    23.06.1995    
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Anmelder: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. [DE/DE]; Hofgartenstrasse 2, D-80539 München (DE) (For All Designated States Except US).
WERNER, Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BERGMANN, Ralf [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: WERNER, Jürgen; (DE).
BERGMANN, Ralf; (DE)
Vertreter: HEUSLER, Wolfgang; Brienner Strasse 52, D-80333 München (DE)
Prioritätsdaten:
P 44 19 080.8 31.05.1994 DE
Titel (DE) SILIZIUM-DÜNNSCHICHT AUF GLASSUBSTRAT
(EN) SILICON THIN FILM ON GLASS SUBSTRATE
(FR) FINE COUCHE DE SILICIUM APPLIQUEE SUR UN SUBSTRAT DE VERRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Auf ein Substrat (1) wird eine Zwischenschicht (2) aufgebracht, auf die eine Halbleiterschicht (3) aufgewachsen wird. Die Zwischenschicht (2) ist an die Halbleiterschicht (3) gitterangepaßt und wirkt somit als Nukleationsschicht. Die Zwischenschicht (2) kann in vorteilhafter Weise aus einem Silizid gebildet sein, womit sie infolge ihrer elektrischen Leitfähigkeit zusätzlich als Elektrode, z.B. in einer Solarzellenstruktur, verwendet werden kann.
(EN)An intermediate layer (2) is deposited on a substrate (1) and a semiconductor layer (3) is grown on the intermediate layer. The intermediate layer (2) is lattice-matched with the semiconductor layer (3) and thus acts as a nucleation layer. The intermediate layer (2) can advantageously be formed from a silicide and can thus also, owing to its electrical conductivity, be used as an electrode, for example in a solar cell structure.
(FR)Une couche intermédiaire (2) sur laquelle une couche semi-conductrice (3) est obtenue par croissance, est appliquée sur un substrat (1). La structure réticulée de la couche intermédiaire (2) est adaptée à celle de la couche semi-conductrice (3) et fait ainsi office de couche de nucléation. La couche intermédiaire (2) peut être avantageusement réalisée dans des siliciures afin de pouvoir être utilisée également comme électrode, en raison de sa conductivité, par ex. dans une structure de cellule solaire.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)