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1. (WO1995019571) TUNNELEFFEKT-SENSOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1995/019571    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE1995/000020
Veröffentlichungsdatum: 20.07.1995 Internationales Anmeldedatum: 10.01.1995
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    30.05.1995    
IPC:
G01P 15/08 (2006.01), G01P 15/13 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
BIEBL, Markus [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BIEBL, Markus; (DE)
Prioritätsdaten:
P 44 01 303.5 18.01.1994 DE
Titel (DE) TUNNELEFFEKT-SENSOR
(EN) TUNNEL EFFECT SENSOR
(FR) CAPTEUR A EFFET TUNNEL
Zusammenfassung: front page image
(DE)Tunneleffekt-Beschleunigungssensor, bei dem in einer Sensorschicht (1), insbesondere einer einkristallinen Siliziumschicht eines SOI-Substrates, ein an Federn (5) bewegliches Masseteil (4) ausgebildet ist, bei dem eine Tunnelelektrode (6) und eine Gegenelektrode (7) einander gegenüberliegend in der Ebene dieser Sensorschicht (1) angeordnet sind, wobei von diesen Elektroden (6, 7) eine an dem Masseteil (4) angebracht und eine fest mit dem Substrat verbunden ist, und bei dem Kompensationselektroden (8, 9) zur elektrostatischen Positionierung des Masseteiles (4) vorhanden sind.
(EN)In a tunnel effect acceleration sensor, a mass (4) movable on springs (5) is arranged in a sensor layer (1), in particular a monocrystalline silicon layer of a SOI substrate. A tunnel electrode (6) and a counter-electrode (7) are mounted opposite each other in the plane of said sensor layer (1). One of these electrodes (6, 7) is arranged on the mass (4) and the other is fixed to the substrate. Compensation electrodes (8, 9) electrostatically position the mass (4).
(FR)Un capteur d'accélération à effet tunnel comprend une masse (4) montée mobile sur des ressorts (5) dans une couche de détection (1), notamment une couche de silicium monocristallin d'un substrat en SOI. Une électrode tunnel (6) et une électrode complémentaire (7) sont montées face à face dans le plan de cette couche de détection (1). Une de ces électrodes (6, 7) est montée sur la masse (4) et l'autre est fixée au substrat. Des électrodes de compensation (8, 9) positionnent électrostatiquement la masse (4).
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)