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1. (WO1995015011) PHOTOVOLTAISCHE EINRICHTUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/1995/015011 Internationale Anmeldenummer PCT/EP1994/003876
Veröffentlichungsdatum: 01.06.1995 Internationales Anmeldedatum: 23.11.1994
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 07.04.1995
IPC:
H01L 31/028 (2006.01) ,H01L 31/068 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
0248
gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper
0256
gekennzeichnet durch das Material
0264
Anorganische Materialien
028
nur mit Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
06
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
068
wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird, z.B. Solarzellen aus Bulk-Silizium mit PN-Homoübergang oder Dünnschichtsolarzellen aus polykristallinem Silizium mit PN-Homoübergang
Anmelder:
MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. [DE/DE]; Hofgartenstrasse 2 D-80539 München, DE (AllExceptUS)
KOLODINSKI, Sabine [DE/DE]; DE (UsOnly)
WERNER, Jürgen, H. [DE/DE]; DE (UsOnly)
QUEISSER, Hans, J. [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
KOLODINSKI, Sabine; DE
WERNER, Jürgen, H.; DE
QUEISSER, Hans, J.; DE
Vertreter:
SCHÜTZ, Peter ; Brienner Strasse 52 D-80333 München, DE
Prioritätsdaten:
P 43 40 221.625.11.1993DE
Titel (DE) PHOTOVOLTAISCHE EINRICHTUNG
(EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE
Zusammenfassung:
(DE) Eine photovoltaische Einrichtung, z.B. Solarzelle, in welcher bewegliche Ladungsträger durch einfallende optische Strahlung erzeugbar sind, enthält einen Halbleiterkörper aus einem Material mit einer solchen Energiebandstruktur, daß im Spektralbereich der einfallenden Stahlung eine zusätzliche Trägererzeugung durch Stoßionisation (Auger-Effekt) ermöglicht wird. Hierdurch läßt sich die interne Quantenausbeute über den Wert 1 erhöhen. Das Halbleitermaterial kann aus Germanium und Silicium, insbesondere aus GeSi bestehen.
(EN) A photovoltaic device, for example a solar cell, in which mobile charge carriers may be generated by incident optical radiation, contains a semiconductor body made of a material having such an energy band structure that in the spectral region of the incident radiation additional carriers may be generated by impact ionisation (Auger effect). The internal quantum yield may thus be increased above 1. The semiconductor material may consist of germanium and silicon, in particular GeSi.
(FR) Un dispositif photovoltaïque, par exemple une cellule solaire, dans lequel des porteurs de charge mobiles peuvent être générés par un rayonnement optique incident, contient un corps semi-conducteur en un matériau présentant une bande d'énergie ayant une structure telle que des porteurs de charge supplémentaires peuvent être générés dans le domaine spectral du rayonnement incident par ionisation par impact (effet Auger). On peut ainsi faire augmenter le rendement quantique interne au-dessus de 1. Le matériau semi-conducteur peut être constitué de germanium et de silicium, notamment de GeSi.
Designierte Staaten: JP, KR, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
US5693151JPH09509282