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1. (WO1995009435) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN MIKROKRISTALLINER SCHICHTEN UND DEREN VERWENDUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1995/009435    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1994/001158
Veröffentlichungsdatum: 06.04.1995 Internationales Anmeldedatum: 29.09.1994
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    11.04.1995    
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H05B 33/10 (2006.01), C23C 16/22 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01)
Anmelder: SCHWARZ, Reinhard [DE/DE]; (DE).
KOYNOV, Svetoslav [BG/BG]; (BG) (For US Only).
FISCHER, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SCHWARZ, Reinhard; (DE).
KOYNOV, Svetoslav; (BG).
FISCHER, Thomas; (DE)
Vertreter: PFENNING, MEINIG, BUTENSCHÖN, BERGMANN, NÖTH, REITZLE, KRAUS; Mozartstrasse 17, D-80336 München (DE)
Prioritätsdaten:
P 43 33 416.4 30.09.1993 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN MIKROKRISTALLINER SCHICHTEN UND DEREN VERWENDUNG
(EN) PROCESS FOR PRODUCING MICROCRYSTALLINE FILMS AND USES THEREOF
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES MICROCRISTALLINES, ET UTILISATION DESDITES COUCHES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von mikrokristallinen Schichten aus Elementen der IV.HGr, insbesondere Si, Ge, Sn oder deren Legierungen wie SiC bzw. SiGe mittels zyklischer CVD oder verwandter Methoden, wobei ein Zyklus aus zwei Schritten besteht, einem ersten Schritt zur Herstellung einer amorphen Schicht des Elementes in der Weise, daß ein geeignetes Prozeßgas wie z.B. die Element-Wasserstoff-Verbindungen und Wasserstoff unter üblichen CVD-Bedingungen über getrennte Zuführungen in den Reaktor über das Substrat geführt wird, und daß in einem zweiten Schritt eine Wasserstoffbehandlung erfolgt, wobei zumindest zeitweise während des zweiten Schrittes die Zuführung des Prozeßgasstromes, die Wasserstoffzufuhr sowie die Verbindung des CVD-Reaktors zur Pumpe geschlossen sind, so daß die Wasserstoffbehandlung in einem geschlossenen CVD-Prozeß (CC-CVD-Prozeß) mit der im Reaktor befindlichen Menge an Wasserstoff bzw. Elementwasserstoffverbindungen erfolgt.
(EN)The invention pertains to a process for producing microcrystalline films from elements of main group IV of the periodic table, in particular Si, Ge, Sn or their alloys, such as SiC or SiGe, by means of cyclic CVD or related methods, a cycle consisting of two steps, a first step to produce an amorphous film of the element in that an appropriate process gas such as the element-hydrogen compounds and hydrogen are passed over the substrate via separate feeds into the reactor under normal CVD conditions, and a second step involving hydrogen treatment, where at least temporarily during the second step, the incoming stream of process gas, the hydrogen feed and the connection of the CVD reactor to the pump are closed so that the hydrogen treatment takes place in a close CVD process (CC-CVD process) using the quantity of hydrogen and element-hydrogen compounds present in the reactor.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire des couches microcristallines à partir d'éléments du groupe principal IV de la classification périodique, en particulier Si, Ge, Sn, ou bien leurs alliages tels que SiC ou SiGe, par dépôt chimique cyclique en phase vapeur, ou selon des méthodes apparentées. Selon l'invention, un cycle comprend deux étapes. Au cours de la première étape est produite une couche amorphe de l'élément choisi. A cet effet, un gaz approprié au procédé, tel que des composés élément-hydrogène et l'hydrogène, sont amenés dans des conditions habituelles de dépôt chimique en phase vapeur, au réacteur, en passant sur le substrat, par des systèmes d'alimentation séparés. Au cours de la deuxième étape, est effectué un traitement par hydrogène. Pendant cette deuxième étape, le dispositif d'alimentation en gaz utilisé pour le procédé, le dispositif d'alimentation en hydrogène, ainsi que la communication entre le réacteur dans lequel se fait le dépôt et la pompe sont, au moins temporairement, fermés, de sorte que le traitement par hydrogène se fait selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, en chambre fermée, cela au moyen de la quantité d'hydrogène ou de composés élément-hydrogène se trouvant dans le réacteur.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)